电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响＊.PDF

： 游小刚等 电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响 ８１０２９ 文章编号： （ ） １０ ９７３１２０ ０８１２９０５ ０１ １４０８ － － － 电子束注入对多孔硅吸杂效果的影响＊ ， ， ， ， 素霞 游小刚 谭 毅 李佳艳 石 爽 郭 　 　 （ ， ） 大连理工大学材料科学与工程学院 辽宁大连 １１６０２４ 摘 要： 研究了电子束注入对多孔硅吸杂效果的影 子束有着快速热处理与电场效应的双重作用。 　 　 。 响 采用电化学腐蚀方法利用双电解槽在单晶硅片上 ２ 实 验 　 　 。 制备多孔硅 电子束注入以后多孔硅的微观形貌发生 ， 子束注 ， 制备多孔硅 ， 了变化 通过 ３ｍｉｎ的电 入处理 硅片的电阻率 的原材料为 型高纯单晶硅 电阻率 ｐ ρ ， 为 · ， （ ） 。依次用丙 发生了明显的改变 大于相同条件下经过快速热处理 ０．００８ 晶向 厚度 ３ ｃｍ １００ ５００ ｍ Ω μ ， 、 ， ， 的硅片的电阻率 这充分证明了电子束注入有热效应 酮 乙醇和去离子水对单晶硅片进行清洗５ｍｉｎ 随后 ［ ］ １ １ １ ３ － ， 。 ， 与电场效应的双重作用 对去除杂质 有一定的效果 利用电化学腐蚀的方法制备多孔硅 实验装置如 Ｂ 。 图 所 。 ， 电子束注入时间对去除杂质的效果有一定的影响 １ 示 在双电解槽装置中 样品被放置在铂电极 ： ； ； ； ，