硅外延及其应用-云南冶金.PDF

　２０１３ ６ Ｊｕｎ．２０１３ ４２ ３ （ ２４０ ）　　　　　　　　　　　　ＹＵＮＮＡＮＭＥＴＡＬＬＵＲＧＹ　　　　　　　　　　　　　Ｖｏｌ４２．Ｎｏ３（Ｓｕｍ２４０）  １，２ ２ ２ ， 　 ， （１． ， 　 　６５００３１； ２． ， 　 　６５０５００） 　　 　 ： ， （ＭＢＥ）、 （ＣＶＤ）、 （ＬＰＥ） ， Ｓｉ 。 ：ＭＢＥ；ＣＶＤ；ＬＰＥ； ； ＋ ：ＴＮ３０４１２　 ：Ａ　 ：１００６－０３０８（２０１３）０３－００４６－０５ ＥｐｉｔａｘｉａｌＳｉｌｉｃｏｎａｎｄＩｔｓＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ １，２ ２ ２ ＸＵＹｕａｎ－ｚｈｉ ，ＨＵＬｉａｎｇ，ＷＵＺｈｏｎｇ－ｙｕａｎ （１．ＫｕｎｍｉｎｇＹｅｙａｎＮｅｗ－ＭａｔｅｒｉａｌＣｏ．，Ｌｔｄ．，Ｋｕｎｍｉｎｇ，Ｙｕｎｎａｎ６５００３１，Ｃｈｉｎａ； ２．ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＣｈｅｍｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＫｕｎｍｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｋｕｎｍｉｎｇ，Ｙｕｎｎａｎ６５０５００，Ｃｈｉｎａ） ＡＢＳＴＲＡＣＴ：Ｓｉｌｉｃｏｎｅｐｉｔａｘｙｇｒｏｗｔｈｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｉｓｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ，ａｎｄｔｈｒｅｅｋｉｎｄｓｏｆｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓａｐｐｌｉｅｄｔｏｓｉｌｉｃｏｎｅｐｉｔａｘｙａｒｅｓｕｍｍａ ｒｉｚｅｄ：ｍｏｌｅｃｕｌａｒｂｅａｍｅｐｉｔａｘｙ（ＭＢＥ），ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＣＶＤ），ｌｉｑｕｉｄｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ（ＬＰＥ），ａｎｄｔｈｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｆＳｉｂａｓｅｅｐｉｔａｘｉ ａｌｍａｔｅｒｉａｌｄｅｖｉｃｅｉｓａｌｓｏｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄ． ＫＥＹＷＯＲＤＳ：ＭＢＥ；ＣＶＤ；ＬＰＥ；ｓｉｌｉｃｏｎｅｐｉｔａｘｙ；ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ 、 、 ＰＷ 、 。 ， ／ 。 ， ，９５％ ９９％ ， ＭＰＵ、 、 （ＩＣ） 。 ２１ ， 、ＤＲＡＭ ， ＣＭＯＳ ，