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立方氮化硼(C-BN)薄膜的红外光谱
赵永年
吉林大学超硬材料国家重点实验室 长春 130012
C-BN像金刚石一样是聚许多优异性能於一身的多功能材料,它的硬度、热导率仅次於金刚石;而化学稳定性和抗高温氧化性却优於金刚石,尤其是它不像金刚石那样与铁元素有亲合性,是加工含铁元素材料的最硬工具材料;它在很宽的光谱范目内有很高的光透过率;它还是即能n型掺杂又组P型掺杂的宽禁带半导体材料;由於它有负表面亲合势,所以是电子场发射材料。C-BN的生长条件十分苛刻,至合在在自然界还没有找到它。高温高压条件下合成的C-BN颗粒粒度小硬度高又不易改变形状,因此应用受到限制。人们把广泛应用的希望寄於薄膜。
一、C-BN和h-BN的表征
C-BN薄膜的沉积过程中经常有另一种构象的h-BN同时出现,红外光谱是区别两者的最好的工具,如图所示1380cm-1和780cm-1两个红外吸收峰分别是h-BN的拉伸振动模和N-B-N的变形振动模,而1085cm-1附近的吸收峰是C-BN的特征吸收峰,由此我们可以在沉积的薄膜中区指认h-BN和C-BN。
图1 h-BN的红外光谱 图2 C-BN的红外光谱
图3 BN薄膜的红外光谱
图3中上面吸收峰表明薄膜中只有C-BN,而下边的谱表明薄膜只两构象混合即有C-BN也有h-BN。
二.C-BN的制备
图4 用磁控溅射方法在不同基板负偏压情况下制备的BN薄膜的红外光谱
图4中可以看到在不同的基板条件下制备的薄膜中h-BN和C-BN的含量有变化。负偏压在-100伏以下薄膜是纯六角相,在-160伏时薄膜是h-BN和C-BN的混合相,当负偏压达到-220伏时薄膜是纯立方相。当负偏压达到-260伏时由於离子能量过大,反溅射结果造成薄膜减薄,最后无法生长。
图5 BN薄膜生长的相图
图5是一张相图,图中园点表明纯六角相,三角表明混合相,方框代表纯立方相,由此可以看到C-BN生长区很少,也就是它的生长条件是十分苛刻的。
三.C-BN薄膜的内应力
C-BN薄膜制备中遇到的最大问题薄膜的内应力,由于内应力的存在,薄膜非常容易爆裂,多则几天少则几分钟就可能爆裂,而且C-BN的含量越高薄膜越易爆裂。
图6 C-BN吸收峰位随负偏压大小改变 图7 薄膜内部应力大於表面应力
,从制备的薄膜中测量到的C-BN特征峰位一般在1075cm-1到1100cm-1的范围内,内应力越大峰位越高,也越易爆裂,负偏压越大C-BN含量越高内应力越大。图7中两个光谱分别是透射光谱和反射光谱,TIR表示透射光谱,它表明薄膜是混合相,C-BN吸收峰位是1078cm-1。RiR表示反射吸收光谱它表明薄膜表面是纯立方相,特征吸收峰位是1033cm-1,两者比较说明薄膜表面应力小於薄膜内部应力。
图8 无支撑薄膜的内应力
图8是一个薄膜碎片即无支撑薄膜的红外透射吸收和反射吸收光谱,透射吸收峰在1065cm-1,而反射吸收峰位在1004.7cm-1,后者是迄今为止测量到的最低峰位,它和理论计算值1004cm-1十分接近,这说明1004.7cm-1是接近无应力的C-BN的特征吸收峰位。
四.低应力C-BN薄膜的制备
图9正偏压制备的BN薄膜的红外光谱 图10 对应的X-光衍射图
图9和图10是用正偏压制备的BN薄膜的红光谱和透射电镜的X-光衍射图。从图9可看薄膜是一个由C-BN、h-BN、e-BN和W-BN组成的混合相,图10是从本底背面减薄测到的薄膜表面的X-光衍射图,衍射图表明薄膜表层是纯的立方相,混合相的其他组分处在薄膜表面和基底之间。这一薄膜中C-BN特征吸收峰位在1006.3cm-1,与无应力状态比较接近。
图11 用束射RF方法制备的C-BN薄膜的红外光谱
图`11是用束射RF方法制备的C-BN薄膜的红外光谱。图中C-BN特征吸收的峰位在1008cm-1,峰位很低,与无应力状态只差4cm-1,薄膜的应力很小。
五.结论
红外光谱对C-BN薄膜制备表征等研究十分有用,尤其对低应力的研究也很有用。
1008cm-1
C-BN
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