等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究-汪明刚.PDF

櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶 ： ｄｏｉ １０３９６９／ ｊｉｓｓｎ１００３３５３ｘ２０１０ｚ１０３６ 等离子体浸没注入超低能注入掺杂研究 汪明刚，刘杰，杨威风，李超波，夏洋 （中国科学院微电子研究所中国科学院微电子器件与集成技术重点实验室北京， ） １０００２９ 摘要：自等离子体浸没注入技术被提出以来，该技术在材料表面改性方面具有广泛的应用。 近年来该技术被用于 以下技术节点中的超浅结制作与束线离子注入技术相比该技术注。 ， ３２ ｎｍ 入效率更高成本更低。设计了一套用于超浅结制作的等离子体浸没注入系统，该系统基于感应耦 合等离子体技术用该系统进行的超浅结注入实验结果表明注入深度可以达到 以内 。 ， １０ ｎｍ （ １８ ３），注入陡峭度可以达到 ，注入离子剂量达到 １５ ２。 ＠１×１０ ／ ｃｍ ２５ ｎｍ／ ｄｅｃａｄｅ １×１０ ／ ｃｍ 关键词：等离子体浸没注入；超浅结；感性耦合等离子体 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ）增刊 ＴＮ３０５３ Ａ １００３３５３Ｘ ２０１０ ０１２９０３ Ｐｌａｓｍａ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｉｏｎ Ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｏｐｉｎｇ ， ， ， ， Ｗａｎｇ Ｍｉｎｇｇａｎｇ Ｌｉｕ Ｊｉｅ Ｙａｎｇ Ｗｅｉｆｅｎｇ Ｌｉ Ｃｈａｏｂｏ Ｘｉａ Ｙａｎｇ （ ， Ｋｅｙ Ｌａｂｏｒａｔｏｒｙ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｄｅｖｉｃｅｓ ＆ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ ｏｆ ， ， ） ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙ ｏｆ Ｓｃｉｅｎｃｅｓ Ｂｅｉｊｉｎｇ １０００２９ Ｃｈｉｎａ ： （ ） Ａｂｓｔｒａｃｔ Ｐｌａｓｍａ ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ ｉｏｎ ｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎ ＰＩＩＩ ｈａｓ ｂｅｅｎ ｕｓｅｄ ｉｎ ｍｏｄｉｆｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｗｉｄｅｌｙ ， ｓｉｎｃｅ ｉｔ ｗａｓｐｒｏｐｏｓｅｄ． Ｉｎ ｒｅｃｅｎｔ ｙｅａｒｓ ｉｔ ｈａｓａｌｓｏ ｂｅｅｎ ｄｅｖｅｌｏｐｅｄｆｏｒｆｏｒｍｉｎｇ ｕｌｔｒａｓｈａｌｌｏｗｊｕｎｃｔｉｏｎ ｕｎｄｅｒ３２ ， ｎｍ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｎｏｄｅｓ ｉｎ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｐｒｏｃｅｓｓ． Ｃｏｍｐａｒｅｄ ｔｏ ｂｅａｍ