硅片检验标准2016-2-1选读.docx

光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号：LW-BZ-009-A1版本： A/1版受控状态：编制部门：技术中心发放编号：编制： 日期：审核：日期：批准： 日期：发布日期： 实施日期：文件更改申请单编号：LW-CX-001-A1-03文件名称硅片检验标准文件编号LW-BZ-009-A1申请部门铸切技术部申请人王伟批准人批准日期更改原因：1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间判定标准2、变更硅片尺寸范围3、增加硅片表面洁净度要求4、修改崩边要求更改前内容及条款无156-156.7无B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm个数不限更改后内容及条款增加硅片黑色带状区域要求155.8-156.7增加表面玷污定义B片中崩边要求为：length≤1.5mm；width≤0.5mm，每片不得超过4处硅片检验标准1 目的规范多晶硅片检测标准。2 适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。3 定义3.1检测工具：数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-2000。3.2检测术语斑点定义：在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。翘曲度：硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即a值）。弯曲度：硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即z值）。硅落：硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。崩边：以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。缺口：光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。水印：未充分烘干，水分蒸发后残留物。表面玷污：硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。游离碳黑线：清洗后距离硅片上边缘5mm以内的黑色区域。微晶：每1cm2长度上晶粒个数＞10个。4 职责权限4.1 技术部负责制定硅片检验标准；4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。5 正文5.1 表面质量 表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表1相关要求。对整包硅片重点查看B4（崩边），B7（线痕）、B8（厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。5.2 外型尺寸几何尺寸符合附表1相关要求，在研磨倒角处控制。如认为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检验。5.3 电性能依据硅锭／硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。硅片电阻率测量一点数值，当超出B级范围时，测量五个晶粒的电阻率，计算平均值X，以X值作为最终判定值。5.4抽检方法（1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于0.5%。每次抽检不合格率大于0.5%时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。（2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。6 相关文件无7 相关记录无附表1：自检硅片检验项目及判定标准检验标准检验项目A级品B级品电性能指标Resistivity电阻率（Ω·cm）0.7≤ρ≤3Carrier Lifetime少子寿命(μs)≥1.2Oxygen concentration氧含量（atoms/cm3）≤1.0*1018Carbon concentration碳含量（atoms/cm3）≤8*1017外形尺寸及外观Geometry几何形状正方形Thickness厚度（μm）180±20TTV（μm）TTV≤3030＜TTV≤50Size尺寸（mm）155.8≤size≤156.7Diagonal对角线（mm）218.8-220.6Rectangular angle角度（o）90±0.3Chamfer angel倒角（o）45±10Chamfer wide倒角宽度（mm）0.5≤wide≤2.5Chip崩边（宽度*延伸深度）（mm）不允许length≤1.5mm；width≤0.5mm每片不得超过4处Break age缺口（mm2）不允许0.2*0.2Saw mark锯痕（μm）Saw mark≤1515＜Saw mark≤35Warp翘曲度（μm）Warp≤5050＜Warp≤75Bow弯曲度（μm）Bow≤5050Bow≤75Surface表面无裂纹、孔洞、微晶；表面洁净：无玷污、油污、手印；无裂纹、孔洞、微晶；表面洁净：无玷污、油污、手印，砂浆斑点个数小于5个，黑线向内延伸小于5mm。附件1：B级硅片分