2015下半年顶级手机cpu对比.doc

2015下半年顶级手机cpu对比 骁龙810、三星Exynos 7420、联发科MT6795、麒麟935详细解读 1、高通骁龙810：由于自主研发的Kryo架构延期，高通在骁龙810上直接采用了ARM的公版架构。具体来看，骁龙810搭载4个2.0GHz主频的Cortex-A57核心和4个1.5GHz主频的Cortex-A53核心；GPU则采用了高通自家的Adreno 430；集成双核SIP，最高可支持5500万像素的摄像头；基带芯片最高可提供LTE CAT6的4G全网通能力；内存控制器可支持双通道LPDDR4（1600MHz），有效带宽25.6GBps，基于20NM工艺制造。 至于高通骁龙810发热的原因，现在看来应该是20nm无法控制A57的发热，但在高通骁龙810量产前也只有三星和intel拥有1xNM工艺。 2、三星Exynos7420：跳过了20NM工艺，直接豪赌14NM FinFET工艺的三星终于得到了回报。搭载自家Exynos 7420的Galaxy S6、S6 Edge不仅成功避开了骁龙810延期的影响提前上市，而且对于改善三星创新乏力的形象作用显著，实际性能也让发烧的810甘拜下风。 从具体架构上来说，Exynos 7420采用4个2.1GHz主频的Cortex-A57核心和4个1.5GHz主频的Cortex-A53核心组成异步大小核架构，GPU部分则采用了八核的Mali-T760 MP8，主频为772MHz，基于14NM FinFET工艺制造，基带芯片能达到LTE CAT6级别，内存控制器可支持双通道LPDDR4（1552MHz），有效内存带宽24.8GBps。3、联发科Helio X10（MT6795）:联发科MT6795依然基于28NM工艺打造，技术上无法搞定相比A53性能提升56%，但功耗同时高出256%的Cortex-A57架构。因此，联发科选择了同时搭载8个Cortex-A53核心，标准版MT6795主频为2.0GHz，高主频版本MT6795T主频则提升到2.2GHz，而且是8核全部可以超频到这一主频。 Helio X10GPU依然沿用MT6595上的Power VR G6200，内存控制器支持双通道LPDDR3 933MHz内存，基带芯片速率为LTE CAT4级别，双2000万像素ISP，有效内存带宽为14.9GBps，参数相对上面两位略显平庸。 4、海思麒麟930/935：和联发科一样，麒麟930、935也是基于28NM工艺打造，与MT6795不同的是，海思采用4个高主频的A53e核心（930为2.0GHz，935为2.2GHz）和4个1.5GHz低主频的A53核心组成异步八核架构，GPU部分为“祖传”Mali T628 MP4。LTE基带芯片速率达到LTE CAT 6级别，支持海思独家的TAS智能天线调节技术。联发科和海思都选择跳过目前的Cortex-A57，等待台积电的16NM工艺，基于A72架构的麒麟950已经在路上了。 市售四款主流旗舰级SoC芯片性能实测 看过上面的解析后，SoC芯片究竟如何还是要拉出来实测一把才能知晓。像目前顶级的骁龙810这种级别的旗舰处理器，即使不做优化，日常使用也绝对不会感到明显的卡顿现象。基准跑分测试，早已不再是衡量一款手机流畅与否的标尺，至少不能直接将跑分高与流畅好用划上等号。厂商针对性的优化以及跑分软件自身的因素，也使得跑分本身的说服力大不如前。 但对于本次市售主流SoC芯片对比实测来说，相同的测试工具无疑为我们提供了一个统一的标准。测试方法1、CPU、GPU测试选用的软件分别为跨平台权威测试软件GeekBench 3.0以及GFXBench 3.0.32，对于国产手机厂商常用的安兔兔，我们也进行了相应测试。2、持续工作下的稳定性测试，我们使用了更接近日常使用环境测试的StabilityTest（测试项：CLASSIC STABILITY TEST）进行压力测试。3、另外，我们也安排了28分钟的GFXBench电池压力测试，通过连续运行30次高水平的霸王龙场景测试，查看其性能的变动情况，并记录这个过程中的最高温度。该测试更加接近大家日常玩大型3D游戏时的状态。 CPU测试 GeekBench 3.0 CPU测试分为蓝色的单线程测试以及绿色的多线程测试，单线程性能更能体现日常应用情况，而多线程则对于多任务以及大型3D游戏的运算更加重要。从单线程性能来看，使用了Cortex-A57高性能架构的骁龙810以及Exynos 7420明显超出对手，骁龙810过于严格的发热降频锁核机制限制了它的发挥，Exynos7420则是将A57的性能优势表现的淋漓尽致。也是参测四款SoC中，唯一一个单线程跑分破千的。 联发科MT6795以及麒麟935均采