5、测试与验收-国家实验研究院.DOC

財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 可變形束電子束曝光機 招標規範書 說明 本規範適用於國家奈米元件實驗室之可變形束電子束曝光機（shaped e-beam direct write system）採購案。若本招標規格書有任何疑慮依業主解釋為準。 採購標的數量及規範 採購數量：可變形束電子束曝光機1套，符合8-12吋晶片線的系統設計，年份必須為年（含）之後出廠之設備，設備內容須符合或優於下列規範： 曝光機主體1組，內容至少包含： 曝光腔體（exposure chamber）1座。 真空系統（vacuum system）1組。 電子光學系統（electron optics）1座。 曝光平台（exposure stage）1座。 試片傳送系統（substrate handling system）1組。 系統控制裝置1組。 控制及應用軟體1套。 100級潔淨室專用之儀器說明書與維修及操作手冊1套以及電子檔光碟1份。 曝光機專用圖檔資料處理工作站（layout data preparation station）1部，安裝具永久使用權之作業系統及圖檔處理程式。附有說明書與維修及操作手冊1套以及電子檔光碟1份，程式原版光碟1份。 8吋晶圓載台（8” wafer holder）2個。 設備專用25片裝8吋晶圓盒（8” FOUP）1個。 可變形束電子束曝光機規格需求如下： 曝光腔體： 腔體尺寸可容納8-12吋晶圓曝光操作。 腔體之真空度可符合電子束操作環境，真空度可維持＜1×10-3 Pa。 獨立冷卻循環裝置（chiller），腔體溫度可控制並維持於【驗收項目1】。 真空系統： 抽氣方式符合潔淨室100級之全自動乾燥潔淨抽氣系統。 安全裝置：斷電、真空度劣化、CDA壓力下降等狀況之自動保護裝置。 緩衝腔體自試片載入起，必需於分鐘內將壓力抽至＜3.5×10-3 Pa，即為試片載入時間（loading time）≦ mins【驗收項目】。 電子光學系統： 電子槍：LaB6，熱場發射式（thermal field emission type）。 加速電壓≧50 kV。 解析度≦50 nm【驗收項目】。 以金屬格網（mesh）自動監控並自動調整電流密度至設定值。電流密度（current density）最大可達20 A/cm2。 曝光電流穩定性（current stability）≦ 1 ％/min【驗收項目】。 燈絲壽命：電流密度為20 A/cm2，壽命2000 hours以上。電流密度為10 A/cm2，壽命4000 hours以上。 電磁透鏡系統必須具有使電子束聚集、成形、聚焦、偏折等功能。 向量掃描（vector scan）曝光方式。 使用遮板（diaphragm）進行電子束截面形狀（shaped）控制，可於成像位置投射方向與曝光平台軸向一致的矩形電子束、旋轉45度的矩形電子束，以及等腰直角三角形。電子束形狀可調範圍為1 nm~2 μm，最小變化量為1 nm。 可選擇單次曝光模式（single-pass writing）及多次曝光模式（multi-pass writing）。 單次曝光劑量可調範圍2-1000 μC/cm2。 最小定位格點（address grid）1 nm。 線寬準確性≦30 nm【驗收項目】。 線寬均勻性≦20 nm【驗收項目】。 邊緣粗糙度≦15 nm【驗收項目】。 曝光平台： 摩擦驅動（capstan drive）雷射干涉定位平台。 曝光平台（stage）X與Y方向可移動範圍至少涵蓋12吋晶圓可用範圍（294 mm）。 具多層對準能力，準確度≦40 nm【驗收項目】。 行列銜接準確度（stripe butting accuracy）≦3 nm【驗收項目】。 子照野銜接準確度（subfield butting accuracy）≦2 nm【驗收項目1】。 使用光學方式量測並調整曝光平台高度（stage height），m。 曝光平台可選擇連續移動曝光模式（write-on-the-fly）、等速移動模式（constant speed）及步進模式（step and expose）。 試片傳送系統： 為確保晶圓可自動且穩定的自晶舟傳送至曝光平台【驗收項目1】，試片傳送系統至少必須包含以下項目： 25片裝8吋晶圓盒放置埠（load/unload port）1個。 載台暫存欄位（substrate holder library）至少4格。 預對準裝置（pre-aligner）1組。使用非接觸式自動偵測，確保晶圓可正確的放置於載台之上，讓後續的對準系統可以抓取晶圓上的對準記號。 緩衝腔體（airlock chamber）1個。以外閥門連接外界大氣，內閥門連接曝光腔體，功用為縮短晶圓裝卸時間。 外機械手臂（outer