91p-nitrobenzonitrile纳米有机薄膜的超高密度信息存储研究.PDF

第 20 卷 第 5 期 电　子 　显 　微 　学 　报 Vol20,No 5 2001 年 10 月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 200110 ( ) 文章编号 2001 pnitrobenzonitrile纳米有机薄膜的超高密度 信息存储研究 1 1 2 2 2 3 时东霞 , 巴德纯 , 解思深 , 庞世瑾 , 高鸿钧 , 宋延林 ( ) 1 东北大学机械工程与自动化学院 ,沈阳 110004 ( ) 2 中国科学院物理研究所和凝聚态物理中心北京真空物理开放实验室 ,北京 100080 ( ) 3 中国科学院化学研究所分子科学中心 ,北京 100080 n ( ) ( ) 摘 　要 : 采用扫描隧道显微镜 STM 在 pnitrobenzonitrilePNBN 单体有机薄膜上进行信息记录点的写 ( ) c 入研究 。通过在 STM针尖和高定向裂解石墨 HOPG 衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录 13 . 2 点的写入 ,得到了一个信息点点径小于 1nm, 对应存储密度高达 10 bitcm 的信息存储点阵 。电流 ( ) - 电压 I - V 曲线表明 ,薄膜上非信息点存储区域是高电阻区 ,而信息点存储区域是导电区 ,具有 0 m -1 信息存储特性 。PNBN单体有机薄膜的存储机制可能是规则排列的 PNBN分子在强电场作用下由 有序向无序的转变 ,使得薄膜的电阻由高阻态向低阻态转变 ,从而实现信息点的写入 。 o 关键词 : 超高密度信息存储 ;扫描隧道显微镜 ;纳米有机薄膜 中图分类号 : TB383;O4841;TN16 　　文献标识码 :A c . ( ) ( ) ( ) 扫描隧道显微镜 STM 、原子力显微镜 AFM 和近场光学显微镜 SNOM 等扫描探针显微镜 ( ) SPM 在纳米加工 、纳米级及分子级存储方面具有其明显的优势 。例如 ,Kolb 等人采用 STM技术 m [1] ( ) 在金电极的Au 111 表面通过纳米加工得到了很小的纳米铜簇 。Dujardin 和他的合作者在 Ge ( ) [2,3] 。另外 ,有机材料由于其价格便宜 、合成方便 、性能可控 111