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GSMBEGaN膜的电子输运性质研究3
第 19 卷第 12 期 半 导 体 学 报 . 19, . 12
V o l N o
1998 年 12 月 . , 1998
CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S D ec
GSM BE GaN 膜的电子输运性质研究
王晓亮 孙殿照 孔梅影 张剑平 曾一平 李晋闽 林兰英
( 中国科学院半导体研究所 北京 100083)
( )
摘要 用 作氮源的 方法在晶向为 0001 的 衬底上生长了非有意掺杂
N H GSM BE A l O
3 2 3
2 ( )
的单晶 外延膜, 膜呈 型导电, 室温时的最高迁移率约为 120 · , 相应的
GaN GaN N cm V s
17 - 3
非有意掺杂电子浓度为 91 ×10 cm . 对一些 GaN 膜进行了变温H all 测试, 通过电阻率、背
景电子浓度以及H all 迁移率随温度的变化研究了 GaN 外延膜的导电机理. 结果表明, 当温度
较低时, 以电子在施主中心之间的输运导电为主; 当温度较高时, 以导带中的自由电子导电为
主.
: 7280 , 8115 , 7220; : 2520 , 0510
PACC E G EEACC D D
1 引言
六方 GaN 材料的室温禁带宽度为 34eV (365nm ) , 耐强酸及强碱腐蚀, 热稳定性好[ 1 ] ,
[ 2 ] [ 3 ] [ 4 ]
因此该材料在蓝、紫光光电子器件如光发射二极管 、激光二极管 、紫外光探测器 以及
[ 5 ]
高速微电子器件 方面具有重要的应用前景. 近几年来, GaN 材料的生长、光电性能研究以
及器件应用研究为国际研究热点, 并取得了突破性进展, 如用 技术在
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