Raith E-beam Writher 操作手册.DOC

Raith E-beam Writher 操作手冊 Administrator登入，選擇Security→User→New，建立新使用者。 2. 校正曝寫區域（沒有Chessy樣品，跳過） (a) 選擇Stage Control→Command→Chessy→Go註一。（若Chessy位置沒有固定，手動移到Chessy，注意不要通過曝寫區域） (b) 調整UV座標：移動到Chessy左下角邊界註二，至Adjust UV→Angle Correction，在第一個點上點選Read，然後移到Origin Correction分頁，點選右下角Adjust定義原點。接著移動到Chessy右下角，點選Angle Correction分頁上的第二個點的Read，然後按下Adjust。 (c) 在Microscope Control→選擇倍率（曝寫範圍）→Set。Align Writefield視窗中點選Reset。 (d) 尋找Chessy中漂亮的圖案，移到圖形中心點，調整焦距使影像清晰。在Scan Manager視窗中選擇Allign Write Field Precedure中適合的選項（或新創選項），右鍵進入修改校正點位置與大小註三。開啟新的工作列表（File→Open Position List），把選項拉進工作列表。 (e) 在工作列表上按右鍵，選擇Scan，先在範圍中粗調校正視窗位置（用Ctrl+滑鼠拖曳），接著再細部校正位置。把校正視窗大小調小，再做一次校正。 (f) 完成後點選Microscope Control中的Save鍵。 (g) 觀察Align Writefield中各個數值。（Zoom值接近1、其他趨近0） 註一：平台有自動移動時，Writer系統會自動擋住電流（PCD Blanker on的狀態下）。移動到目的位置後在手動將電流打開。 註二：在SEM影像中，用滑鼠點兩下，平台會自動把點擊處移動到鏡頭中點。 註三：例如在舖寫區域100x100μm時，位置則選擇30μ，第一次大小為20x20μm，第二次選5x5μm。大小填入後，按一下Step Size後面的計算，然後再按一下大小後面的計算。（參閱最後註三附圖） 3. 調整Sample UV座標 (a) 同步驟2-(b)，將Chessy改為樣品（或電極圖案，或預定的參考座標）。 (b) 小心不要經過曝寫區域。 附註：Writer系統中，XY為平台絕對座標，UV為參考座標。  4. 曝光設定 (a) 按下PCD測量電流值，然後按下Blank。 (b) 在Exposure視窗中，點下Calculator，輸入剛才的電流值（或修正後的適當電流），確定Step Size、Dose是否正確，然後點下Dwell Time後面的計算機。Line與Dot分頁做同樣的步驟。 keV Area Dose Line Dose Dot Dose 10 100 300 0.1 20 200 600 0.2 (c) 在GSDII Database視窗中打開預曝寫圖案，確定工作區域與曝寫層。 (d) 將舖寫圖案檔案拖曳至工作視窗。點選右鍵，選擇Properties。輸入曝寫層、工作區域。最後按下OK。 5. 曝寫前調整 (a) 移動到預曝寫區域附近，倍率調到10,000。 (b) 切換至External模式，此時會在樣品上打點，打點順利時可觀察到SEM影像（Scan I模式）的對比會急速上升。 (c) 切換回Internal模式，調整焦距與像差（Stigmation），移動位置並打第二個點。逐漸調高倍率至約100,000倍。 (d) 重複步驟(b)~(c)，直到打出來的點是漂亮的圓形。 (e) 完成後關閉電子束、切換到External模式，並確定曝寫範圍（Microscope Control→選擇範圍［倍率］→Set） 6. 曝寫 (a) 確認曝寫範圍，若為多層曝寫，請在SEM影像上點右鍵，選擇Reset Image Shift。 (b) 選擇Scan→All，曝寫全部工作清單內容，或在單獨工作上點右鍵，選擇Scan。 (c) 若需對準，先單獨選擇Manual Mark層，手動調整完之後，再選擇Manual Mark及預曝寫層，第二次調整對準後即開始曝寫。 7. 退出試片 (a) 完成曝寫後，關閉SEM閥門、破真空、取出試片、顯影（顯影液70秒→IPA→吹乾）。 (b) 若不再使用，將載台關上、SEM抽真空，並將電子槍改正Pre Heating狀態。 註三附圖： (a) 進入Main，按照標號輸入： 1. 輸入掃描大小（例如：在100μm大小時，第一次設定20μm，第二次5μm） 2. 點一下S