二元合金团簇CoGe(n=1～12)的结构和稳定性-分子反应动力学.PDF

Vo l. 28 高 等 学 校 化 学 学 报 No. 3 2 0 0 7 年 3 月 　　　　　CHEM ICAL JOURNAL OF CH IN ESE UN IV ER SITIES　　　　　 　 535 ～538 　 二元合金团簇 CoGe- ( n = 1～12) n 的结构和稳定性 陈建成 , 邢小鹏 , 唐紫超 , 高 　振 (中国科学院化学研究所 , 分子反应动力学国家重点实验室 , 北京 100080) ( ) 摘要 　用密度泛函 DFT 方法与反射式飞行时间质谱及光电子能谱的实验结果相结合 , 研究了二元合金团 - ( ) ( ) 簇负离子 CoGen n = 1～12 的结合能、几何结构与电子结构. 理论计算得到的电子亲和势 EA 光电子能 ( ) 谱测量的结果符合得较好. 通过分态密度 PDO S 分析了 s, p 和 d轨道电子的相互作用规律. 讨论了团簇的 稳定性 , 认为 CoGe - 具有幻数团簇的性质. 10 - ( ) 关键词 　CoGen 团簇 ; 密度泛函理论 ; 结合能 ; 电子亲和势 EA ; 分态密度 中图分类号 　O64 1　　　　文献标识码 　A 　　　　文章编号 (2007) 硅 、锗元素位于元素周期表中同一主族 , 它们在价键结构方面有着极大的相似性. 其在生命科学 、 ( ) 半导体 、超导体 、新材料等领域的重要应用已引起人们对硅 、锗团簇及过渡金属 TM 参杂的 TM / Si和 TM / Ge二元团簇的广泛研究兴趣 [ 1～6 ] . 最近 , 本实验小组观测到 CoGe- 作为一个稳定的幻数峰 [ 4 ] , 并 10 认为它可能具有双戴帽反四棱柱 D4d构型 [ 5 ] . 有关中性二元团簇 N iGe10 的结构研究也已有文献报道 [ 6 ] . 本文通过反射式飞行时间质谱结合阴离子光电子能