光阴极微波电子枪中发射度补偿及模拟计算.PDF

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光阴极微波电子枪中发射度补偿及模拟计算

第 19卷 第 3期 原 子 核 物 理 评 论 Vo1.19。No.3 2002年 9月 NuclearPhysicsReview Sep.,2002 文章编号:1oo7—4627(2oo2)o3一o338一o4 光阴极微波 电子枪 中发射度补偿及模拟计算。 刘圣广,李永贵 (中国科学院高能物理研究所 自由电子激光室,北京 100080) 摘 要 :介绍 了上海深紫外 自由电子激光用光 阴极微波电子枪采用发射度补偿技术的结果.详细分 析了线性空间电荷力的特点及对束流发射度的影响,从束流动力学和相空间两方面讨论 了发射度 补偿原理.给 出了补偿线 圈的设计结构及其轴向场分布.利用 PARMELA程序对补偿效果作 了模 拟计算.结果表 明,设计的腔体对单 圈1.5nC束团,在枪 出 口后 1.2m处 ,电子能量为5.7MeV, 横 向归一化发射度 e,RMs一1.6127【mm ·mrad. 关 键 词 :光 阴极微波 电子枪;补偿线圈;空间电荷力 中图分类号:TLS03.3 文献标识码 :A 一 晕 昌一 1 引言 管[4],如图 1所示.即在柬流运动轴线上加一个纵 2 0 O m 向磁场 ,使柬流横 向聚柬 ,对空间电荷效应 引起 的 短波长 自由电子激光对 电子柬 的品质要求非常 发射度增长得 以补偿.模拟计算表明,在枪 出口后 苛刻.为得到深紫外 以至 X波段的自由电子激光, 1.2m处 ,柬流横 向归一化 RMS发射度 e.RM。一 产生低发射度 、高峰值流强和短脉冲、高亮度 的电 1.6127【mm ·mrad,柬流能量 E=5.71MeV.图2 子柬 团是非常重要 的.上海深紫外 自由电子激光项 为电子枪 内轴 向电场分布. 目[1将利用 300MeV 电子直线加速器 的电子柬 , 采用高增益谐波放大技术路线 ,产生 100nm左右 ; J一一 。。、L 厂 、 的深紫外相干光.对 电子枪的要求是:电荷量 1.5 ;, 、 nC,电子能量为 4.5—5MeV,归一化发射度 e.。 , 、 ,i 、L ≤ 47【mm ·mrad,脉宽 8—10ps.为实现此设计 , i 目标 ,我们采用 了光 阴极微波 电子枪 矗].因为脉 , ;

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