光电简报201605-上海技术物理研究所图书馆.PDF

光电信息简报 编号：2016-05 总第350 期 2016-3-10 本期目录 极紫外光刻 SPIE 2016 先进光刻技术研讨会 极紫外泰伯干涉光刻 氩气介质下EUV 激发等离子体放射性组分的密度分布 必威体育精装版激光技术报道 高功率Nd:YAG 旋转盘片激光器 高功率亚双周期、100MHz 重频中红外脉冲 中科院上海光学精密机械研究所 光电信息简报20 1605 极紫外光刻 SPIE 2016 先进光刻技术研讨会 国际光学工程学会(SPIE)于2016 年2 月22-25 日在美国加州圣何塞召开了SPIE 2016 先进光刻技术研讨会，会上人们讨论了半导体制造和设计所面临的挑战，中心 议题仍然是极紫外光刻（EUVL ），虽然EUV 技术已经取得了巨大进展，但仍不适 合半导体大批量生产制造。 图1 会议开幕式当天有近1000 名听众 Intel 公司的Mark Phillips 说EUVL 还需要两年时间“扎实推进”，他还强调“Intel 的态度不会改变，只有当EUV 准备好了，我们才会启用它”。台积电的Anthony Yen 在大会报告上概括了EUV 发展的30 年历史，在报告之后的提问环节被问及世界上 最大的芯片代工厂何时启用EUV 技术时，Yen 表示公司在10nm 节点开始采用EUV 技术，但坚持在7nm 节点制造采用EUV 技术。三星电子公司Seong-Sam Kim 也认 为EUV 技术在7nm 节点发挥长期生产潜能，在这一节点氟化氩多图案技术将遇到 发展瓶颈。 Intel 的Britt Turkot 报道了公司最近完成的200W 功率光源，称其购买的ASML 扫描器上的锡液滴生成器得到了显著改善，运行寿命提高了三倍。她还说 EUV 已 经取得了一些“扎实推进”，包括ASML 为EUV 分化板开发的薄膜表膜。“ASML 扫描器在英特尔的14nm 试点工厂线上的表现令人鼓舞，我们将继续保持这种势头。” Turkot 补充说，当EUVL 技术适合大批量生产时，英特尔将在7nm 节点芯片制造时 采用EUVL 技术。她说虽然EUV 技术在产能方面取得了很大进步，但其实用性和 成本问题还需时日来解决。 本报从《SPIE Advanced Lithography ——2016 TECHNICAL SUMMARIES》中 选取了11 篇关于极紫外光刻光源的技术文章摘要进行了编译，具体文章内容请参阅 1 光电信息简报20 1605 SPIE 随后推出的会议论文集9776 ： 1、ASML 公司的Alberto Pirati 等人发表题为《面向生产的EUV 光刻技术性能：发 展现状及展望（特邀报告）》文章： NXE:3300B 系统已经在两年前就交付生产使用了，现在又迎来了NXE:3350 系 统，即第四代EUV 光刻系统。目前，ASML 公司出品的所有EUV 光刻系统都采用 MOPA 预脉冲 EUV 光源技术，方便客户调节实际生产规模。在达到了新设备开发 所需的功率指标后，ASML 公司的 EUV 项目又在提升稳定性与可用性上占据了领 先地位。本文将对实用性和产能的现状及展望进行介绍：已经验证叠加和成像结果 符合7nm 节点逻辑器件的需求；配用机型覆盖了2.5nm 尺度以下的ArF 浸入式技术， 有规律地实现了小于 1.0nm 的全芯片CDU 技术；文中还讨论了缺陷消除、实现标 线薄膜相关的进展。 文章将介绍当前 EUV 光刻的性能，以及产能、成像质量、叠加效果、掩模缺 陷消除等方面的持续进展，此外还会介绍今后的技术路线图。 2 、日本Gigaphoton 公司的Hakaru Mizoguchi 等人发表题为《新型高功率HVM LPP EUV 光源性能》的文章： 我们报道了平均净功率约43W 、转换效率2.0% 、工作频率100kHz 的必威体育精装版工程 测试数据：1)我们已经和三菱电