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冶金法制备太阳能级多晶硅的耦合除杂研究-无机材料学报
第32 卷 第3 期 无 机 材 料 学 报 Vol. 32 No. 3
2017 年3 月 Journal of Inorganic Materials Mar., 2017
文章编号: 1000-324X(2017)03-0281-06 DOI: 10.15541/ji
冶金法制备太阳能级多晶硅的耦合除杂研究
1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 3
李鹏廷 , 王 凯 , 姜大川 , 任世强 , 谭 毅 , 安广野 ,
张 磊3 3 3
, 郭校亮 , 王 峰
(1. 大连理工大学 材料科学与工程学院, 大连116024; 2. 大连理工大学 辽宁省太阳能光伏系统重点实验室, 大连116024;
3. 大工(青岛)新能源材料技术研究院有限公司, 青岛266200)
摘 要: 以工业硅为原料，利用介质熔炼、定向凝固和电子束熔炼三种熔体处理技术对工业硅中的B 、P 和金属杂
质进行了去除，制备出了99.9999%级多晶硅材料，其中，杂质B 和P 的含量分别低于0.20 ppmw （parts per million
(weight)，百万分之一质量），金属杂质总含量（TM ）低于0.23 ppmw 。研究发现，介质熔炼去除杂质B 的过程中，
熔体中发生氧化还原反应可以有效去除大部分的杂质 Al 和 Ca ；电子束熔炼过程中，利用饱和蒸气压原理可以有
效去除挥发性杂质 P 、Al 、Ca ，同时降束诱导多晶硅定向凝固，可将其他金属杂质进一步去除。本研究通过各技
术间的耦合除杂，减少了冶金法提纯多晶硅的工序，为连续化、规模化生产提供了技术支撑。
关 键 词: 工业硅; 介质熔炼; 定向凝固; 电子束熔炼
中图分类号: TF89 文献标识码: A
Coupling of Metallurgical Method to Remove Impurities in Solar Grade
Polycrystalline Silicon
1,2 1,2 1,2 1,2 1,2 3
LI Peng-Ting , WANG Kai , JIANG Da-Chuan , REN Shi-Qiang , TAN-Yi , AN Guang-Ye ,
3 3 3
ZHANG Lei , GUO Xiao-Liang , WANG Feng
(1. School of Materials Science and Engineering, Dalian University of Technology, Dalian 116024, C
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