利用电子束微影技术完成奈米尺寸图案Implementing a Nano-Scale.PDF

大葉學報 第十三卷 第一期 民國九十三年 95 Journal of Da-Yeh University, Vol. 13, No. 1, pp. 95-98 (2004) 利用電子束微影技術完成奈米尺寸圖案 1 1 2 3 4 羅世嵩 黃俊達 游信強 朱育宏 柯富祥 1 大葉大學電機工程學系 彰化縣大村鄉山腳路 112號 2 國立交通大學電子研究所 新竹市大學路 1001號 3 國立清華大學電 子研究所 新竹市光復路二段 101號 4 國家奈米元件實驗室 新竹市大學路 1001-1號 摘 要 本研究主要以微影系統來定義出奈米等級的圖案 。利用電子束阻劑應用於電子束微影上 ， 並且以黃光製程製造出小於60 奈米的線寬 。使用電子束微影技術很輕易的便能製作出100 nm 以下的結構 ，能將電子元件之線寬微縮至60 nm 以下 。本研究對電子束光阻在微影製程 、蝕刻 等特性做製程方面的探討並比較不同線寬之效應 。 關鍵詞 ：電子束微影 ，奈米 ，電子束阻劑 Implementing a Nano-Scale Pattern by the Electron-Beam Micro-lithography Technique 1 1 2 3 4 TAO SHICH-SONG LUO , JUN-DAR HWANG , HSIN-CHIANG YOU , YU-HUNG CHU and FU-SHIANG KO 1 Department of Electrical Engineering, Da-Yeh University 112 Shan-Jiau Rd., Da-Tsuen, Changhua, Taiwan 2Department