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半导体器件在辐射作用下的电学输出性能-同位素
第 卷 第 期 同 位 素
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年 月
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半导体器件在辐射作用下的电学输出性能
王关全!张华明!罗顺忠!胡 睿!高 晖!杨玉青!魏洪源!宋宏涛
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中国工程物理研究院 核物理与化学研究所$四川 绵阳 #
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摘要!半导体结型器件是决定辐射伏特效应同位素电池能量转换效率的核心部件%本工作采用加速器产生
的不同能量电子束和:? 源的 射线对硅基 结型器件进行辐照$在线测量了其电学输出性能%结果表
8 Y8
明$当电子束能量为 #M56 时$能量转换效率( (S !电子束能量为 :M56 时$能量转换效率为 7:S !
!活度为 # 的:? 源片辐照的能量转换效率约为 %
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关键词!辐射伏特效应同位素电池!半导体器件!能量转换效率
中图分类号! 文献标志码 文章编号 #
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