可变型束电子束曝光机注意事项.PDF

可變型束電子束曝光機 注意事項 V2014/12/01 1. 機台開放等級為B4 級，僅提供委託代工服務申請，不開放自行操作。 2. 圖檔格式為 GDS ，拒收其他格式之圖檔，圖檔有誤請自行負責修改。 3. 圖檔於完工交貨後將刪除， NDL 不負保管責任。 4. GDS圖檔規範：  請將圖檔放置在 Structure Cell0 。  依曝光順序將圖層放置在 Layer1 、2 、3… 等，如未依此順序，請務必註 明清楚曝光圖層對應之 Layer 。  繪圖範圍自左下點座標 (-9000 μm, -9000 μm)至右上點座標(9000 μm, 9000 μm)，共18000 μm 。  繪製多層圖形時，為避免破壞對準標記，請避開四個角落對準標記位 置。四個角落半徑 100 μm範圍內勿畫圖，且左上角半徑 1000 μm範圍 內勿畫圖。  檔案命名規則：學校系所_姓名_任意名 1(建議以日期命名)_任意名 2(曝 光順序、阻劑型式、對準標記型式等) 。例： NDL_HCCHENGV1 。 5. 曝多層圖形，請先製作對準標記。  選用正型阻劑 P015  零層曝光檔名(file name): NDL_HCC_SCMARK_V1  蝕刻 1~2 μm 深度。 6. 請委託者務必與機台負責人當面確認曝光內容。曝光檔案（ SLS ）至少必須 於曝光作業執行前 1日完成。並請自行牢記檔名與內容， NDL 不負記憶檔 名與內容之責任。 7. 委託代工交貨期為自資料及材料備妥日，隔日起算 10個工作日。若有機台 故障，將另行通知，並延長交貨日期。 8. 標準製程基材為 8吋 Si wafer ，標準製程阻劑為：  正型阻劑P015 （厚度380nm ，解析度iso-trench 200nm ）。  正型阻劑CAP （厚度100nm ，解析度iso-trench50nm ）。  負型阻劑 NEB （厚度380nm ，解析度iso-line100nm ）。  負型阻劑 CAN （厚度100nm ，解析度iso-line50nm ）。 9. 如欲使用其他基材或阻劑，須提出相關之書面說明，經機台負責人核准，方 可使用。