大高宽比纳米硅立柱的感应耦合等离子体刻蚀工艺优化-强激光与粒子束.PDF

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 , 29 7 Vol.29 No.7 年 月 , 2017 7 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Jul. 2017 大高宽比纳米硅立柱的感应耦合 等离子体刻蚀工艺优化* 1 1 1 1 2 2 3 1 李 欣 , 刘建朋 , 陈 烁 , 张思超 , 邓 彪 , 肖体乔 , 孙 艳 , 陈宜方 ( , ; 1.复旦大学 信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室 上海 200433 , ; , ) 2.中国科学院 上海应用物理研究所 上海 201800 3.中国科学院 上海技术物理研究所 上海 200083 : ( , ) ( ) 摘 要 针对氢基硅倍半氧烷 作为深反应离子刻蚀 掩膜形成大 hdroensilsesuioxaneHSQ DRIE y g q 。 、 , 高宽比纳米硅立柱的工艺进行了系统研究 优化了刻蚀工艺中线圈功率 极板功率和气体流量参数 减小了横 , , , 向刻蚀 使形貌垂直性得到了更好的控制 并实现了13.3 m高度和低侧壁粗糙度的垂直硅纳米柱阵列 其高 μ ( / ) 。 、 宽比 高度 半高宽 达到了36 利用不同的刻蚀工艺条件得到了不同侧壁形貌以及不同尺寸 高度的硅纳米 柱结构。 : ; ; ; ; 关键词 深反应离子刻蚀 硅纳米柱 高宽比 硬 射线 HSQ X 中图分类号: 文献标志码: : / TN4 A doi10.11884HPLPB201729.170028 [] [] [] [] 1 2 3 4 、 、 大高宽比的硅纳米柱阵列在纳米光子结构 真空场发射二极