微型计算机原理(第二版)第6章.ppt

片间地址译码采用线选法 部分译码法 1KX4bit组成4KB的存储器 片间地址译码采用线选法 部分译码法 全译码法 6.4.2 存储器连接举例 1。ROM与8位CPU的连接 用2716 （2K×8）构成6KB的ROM，地址范围从0000H开始 先确定芯片数量 写出每个芯片的地址范围 画出连线图：数据线、控制线、地址线 2。静态RAM与8位CPU的连接 用2114（1K×4）构成4KB的RAM，地址范围从2000H开始 3。EPROM、RAM同时与8位CPU的连接 用2716 （2K×8）构成8KB的EPROM，地址范围从0000H开始 用2114（1K×4）构成4KB的RAM，地址范围从2000H开始 从3000H~3FFFH 为4KB的待扩展区 4。动态RAM与CPU的连接 5。只读存储器与16位CPU的连接 用2732 （4K×8）构成8KB的EPROM 6。静态RAM与16位CPU的连接 用6116（2K×8）构成2K字的EPROM 7．快速循环动态存储器FCRAM(Fast Cycle RAM)　 FCRAM由富士通和东芝公司联合开发，数据吞吐速度可达普通DRAM/SDRAM的4倍。 FCRAM将目标定位在需要极高内存带宽的应用中，如业务繁忙的服务器以及3D图形及多媒体处理等。 FCRAM最主要的特点便是行、列地址同时(并行)访问，而不像普通DRAM那样，以顺序方式进行(首先访问行数据，再访问列数据)。 2716 cs 2114 cs WR 12 34 1 2 3 4 6.5 几种新型存储器简介 1．闪速存储器(Flash Memory) Flash存储器1983年Intel公司首先推出，商品化于1988年. Flash存储器属于E2PROM类型，不加电能长期保持存储的信息。 F1ash存储器被称为闪速存储器，是因为用电擦除且能实现擦除整个存储矩阵或部分存储矩阵，速度很快，与E2PROM擦除一个地址(一个字节或16位字)的时间相同。 Flash存储器既有ROM和RAM两者的性能，又有MROM、DRAM一样的高密度、低成本和小体积。它是目前惟一具有大容量、非易失性、低价格、可在线改写和较高速度几个特性共存的存储器。 同DRAM比较，F1ash存储器有两个缺点：可擦写次数有限和速度较慢。所以它还无望取代DRAM，但它是一种理想的文件存储介质，特别适用于在线编程的大容量、高密度存储领域。 由于Flash存储器的独特优点，在一些较新的主板上采用Flash ROM BIOS，会使得BIOS升级非常方便，在Pentium 微机中已把BIOS系统驻留在Flash存储器中。 Flash存储器亦可用做固态大容量存储器。由于Flash Memory集成度不断提高，价格降低，使其在便携机上取代小容量硬盘已成为可能。 2. 同步动态存储器SDRAM(Synchronous DRAM) SDRAM是同步动态存储器，又称为同步DRAM。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据的同时，另一个已准备好读写数据。通过两个存储阵列的紧密切换，读取效率得到成倍提高。理论上速度可与CPU频率同步，与CPU共享一个时钟周期。 SDRAM不仅可用做主存，在显示卡专用内存方面也有广泛应用。 SDRAM也将应用于一种集成主存和显示内存的结构——共享内存结构(UMA)当中。UMA技术利用主存作显示内存，不再需要增加专门的显示内存，因此这种结构在很大程度上降低了系统成本。 3．双数据传输率同步动态随机存储器DDR DRAM(Double Data Rate DRAM) 在同步动态读写存储器SDRAM的基础上，采用延时锁定环(Delay-1ocked Loop)技术提供数据选通信号对数据进行精确定位，在时钟脉冲的上升沿和下降沿都可传输数据(第一代SDRAM仅在时钟脉冲的下降沿传输数据)，这样就在不提高时钟频率的情况下，使数据传输率提高一倍。 由于DDR DRAM需要新的高速时钟同步电路和符合JEDEC标准的存储器模块，所以主板和芯片组的成本较高，一般只能用于高档服