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CMOS电路有HC系列和HCT系列,相同功能器件的引脚和对应的TTL器件相同。HCT系列(由于是TTL电平)可与TTL系列直接连接。 ⑵ 驱动能力的配合 从电平配合上,CMOS电路可驱动TTL电路,但是CMOS电路的输出功率很小,能够带动TTL门的个数有限,甚至不能驱动输入电流大的TTL门。不同类型的TTL门相互驱动的负载个数也不同。例如,低功耗肖特基TTL门只可驱动4个肖特基TTL门;而肖特基TTL门可驱动50个低功耗肖特基TTL门。(设计中,需要查阅手册,根据输出的驱动能力,确定带负载的个数) (b)用TTL门电路驱动5V低电流继电器,其中二极管D作保护,用以防止过电压。 TTL和CMOS电路带负载时的接口问题 1.对于电流较小、电平能够匹配的负载可以直接驱动。 (a)用TTL门电路驱动发光二极管LED,这时只要在电路中串接一个约几百W的限流电阻即可。 带大电流负载 (a)可将同一芯片上的多个门并联作为驱动器,如图(a)所示。 (b)也可在门电路输出端接三极管,以提高负载能力,如图(b)所示。 (2)对于或非门及或门,多余输入端应接低电平,比如直接接地;也可以与有用的输入端并联使用。 多余输入端的处理 (1)对于与非门及与门,多余输入端应接高电平,比如直接接电源正端,或通过一个上拉电阻(数kW)接电源正端;在前级驱动能力允许时,也可以与有用的输入端并联使用。 3.一端消去或加上小圆圈,同时将相应变量取反,其逻辑关系不变。 2.任一条线一端上的小圆圈移到另一端,其逻辑关系不变。 混合逻辑中逻辑符号的变换 1.逻辑图中任一条线的两端同时加上或消去小圆圈,其逻辑关系不变。 作业: 2-2 ? 2-5 ? 2-7 ? 2-9 ? 2-10 2-13 2.6 ECL逻辑门 ECL也是一种双极型晶体管构成的非饱和型逻辑门电路。 ECL所含的三极管只工作在截止区和放大区(临界饱和区)。因而三极管的基区没有太多的存储电荷,三极管基本没有存储时间;且电路的输入、输出逻辑振幅小,提高了逻辑电路的开关速度。 VT1、VT2和Rc、Re组成差分放大器,其中VT1A、VT1B并联电路完成“线或”逻辑功能; VT3、Ro1和VT4、Ro2完成电平转移功能,把VT1、VT2集电极电压降低0.7-0.8V,使电路输出电平和输入电平一致,同时增强电路的驱动能力; R1、R2、VT5、VD1、VD2组成电阻分压器,为VT2提供固定基极电压(约-1.2V)。高电平为-0.8V,低电平为-1.6V。 采用负电源和较小的逻辑振幅,对提高电路的抗干扰能力和开关速度。 当输入A、B均为低电平(-1.6V),使VT1、VT1’的发射结电压约为0.4V,截止,VT2导通,设计使VT2的集电极电压为-0.8V, 对应F1=-0.8V,F2=-1.6V (设:BE结压降为0.8V) 当输入A、B中至少有一个为高电平,对应的晶体管导通,集电极电位为-0.8V,VT2截止,集电极为0V。对应F1=- 1.6V ,F2=- 0.8V A B F1 F2 0 0 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 ECL门的工作特点 电路中的三极管都工作在非饱和区,速度快,tpd1ns,工作电流基本不变,干扰小,输入阻抗高,大于TTL,小于MOS。逻辑电平摆幅小:VOH=VIH=-0.8V,VOL=VIL=-1.6V,驱动能力大,扇出系数10。另外,ECL门输出可直接相连,实现线或(WIRED-OR)逻辑。由于ECL电路中的电阻都很小,而且三极管又工作在非饱和态,所以电路功耗很大(60-80mW/门)。还有直流噪声容限只有0.2V左右,所以抗干扰能力也很弱。目前ECL电路只有一些中、小规模的集成电路,主要用在一些超高速的数字系统中。 ECL电路的逻辑符号如图 ECL典型输出电平是: 高电平为-0.8V, 低电平为-1.6V。 输入、输出电平的变化范围是: 输入低电平:-2.0~-1.5V 输入高电平:-1.1~-0.8V 输出低电平:-2.0~-1.65V 输出高电平:-1.0~-0.9V ECL 的线或功能 ECL电路的输出可直接连接,可实现线或功能(类似OC或OD门的线与功能) 例题:分析如下电路的输出逻辑关系: 1 1 1 1 2.7 MOS管开关特性 2.7.1 静态特性 2.7.2 动态特性 略 2.9 CMOS逻辑门电路 2.9.1 CMOS反相器 CMOS反相器一个NMOS管VT1和一个PMOS管VT2构成。 两个互补管的栅极连在一起作为 输入端,两个管
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