第二讲半导体二极管及其电路.ppt

4、在检波电路中的应用（无线通信） 用音频信号去控制高频信号的幅值 音频信号 高频信号 载波信号 调制的过程 O t u u1 t O u2 O t 音频放大器 话筒 高频振荡器 调 制 器 发 射 器 u2 u1 u 不讲 2.2 稳压二极管 2.2.1稳压二极管的伏安特性 特点 a. 正向特性与普通管类似 稳压管通常工作于反向电击穿状态 伏安特性 – + iZ uZ uZ Q B A O UZ iZ IZ ?UZ ?IZ 符号 b. 反向击穿特性很陡 (1) 稳定电压VZ (2) 动态电阻rZ 在规定的稳压管反向工作 电流IZ下，所对应的反向工作电 压。 rZ =?VZ /?IZ (3)最大耗散功率 PZM (4)最大稳定工作电流 IZmax 和最小稳定工作电流 IZmin 稳压条件：IZmin IZ IZmax 2.2.2稳压二极管主要参数 温度每变化1?C时UZ的相对变化率。即 UZ 6V管子出现雪崩击穿，αU 为正； UZ 4V 出现齐纳击穿，αU 为负; 4V UZ 6V，αU可能为正，也可能为负。 （5）温度系数 定义： 硅稳压管稳压电路 不讲 * * 第2章 半导体二极管及其电路 本章内容 2.1半导体二极管 2.2稳压二极管 2.3其他类型二极管 2.1半导体二极管 1 .半导体二极管的结构 2.二极管的伏安特性3 .二极管的参数 4.二极管的等效模型 5.二极管应用电路 本节要掌握以下五个内容 2.1.1、 半导体二极管的结构 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。二极管按结构分有点接触型、面接触型和平面型三大类。 (1) 点接触型二极管 PN结面积小，结电容小，用于检波和变频等高频电路。 (a)点接触型 二极管的结构示意图 (3) 平面型二极管 往往用于集成电路制造艺中。PN 结面积可大可小，用于高频整流和开关电路中。 (2) 面接触型二极管 PN结面积大，用于工频大电流整流电路。 (b)面接触型 (c)平面型 (4) 二极管的代表符号 半导体二极管图片 2.1.2 半导体二极管的伏安特性 硅管 0 0. 8 反向特性 正向特性 击穿特性 0 0. 8 反向特性 锗管 正向特性 uD iD (1) 近似呈现为指数曲线，即 (2) 有死区（iD≈0的区域) 1．正向特性 死区电压约为 硅管0.5 V 锗管0.1 V O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD (3) 导通后（即uD大于死区电压后） 管压降uD 约为 硅管0.6~0 .8 V 锗管0.2~0.3 V 通常近似取uD 硅管0.7 V 锗管0.2 V O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD 即 uD略有升高， iD急剧增大。 2．反向特性 IS= 硅管小于0.1微安 锗管几十到几百微安 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD (1) 当 时， 。 (2) 当 时， 反向电流急剧增大， 击穿的类型 根据击穿可逆性分为 电击穿 热击穿 二极管发生反向击穿。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD 降低反向电压，二极管仍能正常工作。 PN结被烧坏，造成二极管永久性的损坏。 二极管发生反向击穿后，如果 a. 功耗PD( = |UDID| )不大 b. PN结的温度小于允许的最高结温 硅管150∽200oC 锗管75∽100oC 热击穿 电击穿 温度每升高1度，正向压降减小2~2.5mV 温度每升高10度，反相饱和电流增加1倍 温度对伏安特性的影响 温度对半导体二极管特性的影响 1. 当温度上升时，死区电压、正向管压降降低。 △uD/ △T = –（2~2.5）mV/ °C 2. 温度升高，反向饱和电流增大。 即 温度每升高1°C，管压降降低（2~2.5）mV。 即 平均温度每升高10°C，反向饱和电流增大一倍。 不讲 2.1.4 半导体二极管的主要电参数 1. 额定整流电流IF 2. 反向击穿电压U(BR) 管子长期运行所允许通过的电流平均值。 二极管能承受的最高反向电压。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD 4. 反向电流IR 3. 最高允许反向工作电压UR 为了确保管子安全工作，所允许的最高反向电压。 室温下加上规定的反向电压时测得的电流。 O iD 正向特性 击穿电压 死区电压 U(BR) 反向特性 uD UR=（1/2~2/3）U(BR) 反向电流大，说明管子的单向导电性差，因此反向电流越小越好。反向电流受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向