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GaAsAIGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉
第20卷第4期 红外 与毫 米波 学 报 Vo【 2O,NO 4
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20,31年8月 J.Infrared Millim.Waves Augus【一2001
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GaAs/AIGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉
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程兴奎 马洪磊
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均铭 黄 绮
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f中国科学院物理研究所.北京.100080)
摘要 在7.K温度一测量了GaAs/A[GaAu誊量子辨结转的光电流,观测到在 =l 589cm .即 一6.29 附近存
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在一小翟电流峰.苛 诫为,谊电琉峰与多量子 势垒以上的电子干涉有关 桩据电子干涉理论计算出畸电流峰位
量与宴验结果非常一致.
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关键词 多量子阱结碍.光电流.电子;
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PHoToCURRENT AND ELECTRoN INTERFERENCE oF
PHOTOCURRENT AND ELECTRON INTERFERENCE OF
GaAs/AIGaAs MULTIQUANTUM WELL STRUCTURE
GaAs/AIGaAs MULTIQUANTUM WELL STRUCTURE
lHENG XinK-Kui MA Hong-Lei
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