GaAsAIGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉.PDF

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GaAsAIGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉

第20卷第4期 红外 与毫 米波 学 报 Vo【 2O,NO 4 *~, 1111# 41t1J fIJrI:::Jit*iEt¥tR \,,,1. 21-1, No.4 :.wil if .i Ji 20,31年8月 J.Infrared Millim.Waves Augus【一2001 J. Infrare-J I\liJJim. Waves Augusl.20 11 1 GaAs/AIGaAs多量子阱结构的光电流与电子干涉 GaAs/AIGaAs ~;=r~~tt.ltr.J*~j~ ~~=rTj~* 程兴奎 马洪磊 i!ffl ~*~ “f』东大学光电材料与器件研究所.山东.挤南,250loo) Iii * -I;:frj1;JJ.j H il£i.HHlfiUIi. ill Jr;. iJtJ¥i. ~.;O!lf) !/( ~ tt t #i 均铭 黄 绮 Fill14i~\iII~!iII·4l.,IiIi, ~t .1,1[(8,) f中国科学院物理研究所.北京.100080) 摘要 在7.K温度一测量了GaAs/A[GaAu誊量子辨结转的光电流,观测到在 =l 589cm .即 一6.29 附近存 !iiI 1t 17K ,ll,( ..I:I jdA,/AIGrtA, ~.Tlif1ijl;)4;t)i..ii!ljI1t ~1589cm-.p A~6.29~m W,JJt;f tE - ~ jIl t;1)$. 7 hi, -7. iJ It·t,I F f: T 1F~ I~ _0 IIiJ If; ~ f fk, t J!H. Tf it1l itif ,lUI 0\ t;t If It 在一小翟电流峰.苛 诫为,谊电琉峰与多量子 势垒以上的电子干涉有关 桩据电子干涉理论计算出畸电流峰位 量与宴验结果非常一致. ~ ~ \i Ii ~ l 11; -. 关键词 多量子阱结碍.光电流.电子; ,it;] ~1:~i!iili!.ct,t·tT!t, PHoToCURRENT AND ELECTRoN INTERFERENCE oF PHOTOCURRENT AND ELECTRON INTERFERENCE OF GaAs/AIGaAs MULTIQUANTUM WELL STRUCTURE GaAs/AIGaAs MULTIQUANTUM WELL STRUCTURE lHENG XinK-Kui MA Hong-Lei 【、HENG Xing—Kui MA Hong~Lei l

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