- 1、本文档共5页,可阅读全部内容。
- 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
S波段单片低噪声放大器-东南大学学报
第34卷第1期 东南大学学报(自然科 学版 ) Vol34 No1
2004年1月 JOURNALOFSOUTHEASTUNIVERSITY(NaturalScienceEdition) Jan.2004
S波段单片低噪声放大器
1,2 2 2 1
彭龙新 李建平 蒋幼泉 魏同立
1
(东南大学微电子中心,南京210096)
2
(南京电子器件研究所,南京210016)
摘要:S波段单片低噪声放大器采用了05 m 3英寸(76.2mm)砷化镓赝配高电子迁移率晶
μ
体管工艺,由三级自偏电路构成,单电源(+5V)供电.对3英寸圆片上的放大器芯片进行直流测
试后,随机抽取一定数量的样品装架测量,并对放大器进行了增益和相位的统计.统计表明:在S
波段带宽300MHz范围内,增益在245~26dB范围内,相位线性度小于1°,相位偏差±7°,噪
声系数最大14dB,输入输出驻波最大14,1dB压缩输出功率大于105dBm.另外,还对放大
器进行了高温、低温环境试验和静电模拟和试验.
关键词:赝配高电子迁移率晶体管;微波单片集成电路;单片低噪声放大器;静电
中图分类号:TN7223 文献标识码:A 文章编号:1001-0505(2004)01000505
SbandMMIClownoiseamplifier
1,2 2 2 1
PengLongxin LiJianping JiangYouquan WeiTongli
1
(MicroelectronicCenter,SoutheastUniversity,Nanjing210096,China)
2
(NanjingElectronicsDevicesInstitute,Nanjing210016,China)
Abstract:TheSbandmicrowavemonolithicintegratedcircuit(MMIC)lownoiseamplifier(LNA),
whichwerecomposedofthreeselfbiasedstages,weredesignedandfabricatedby0.5 mGaAs
μ
pseudomophichighelectronmobilitytransistor(PHEMT)processtechnology.Itissuppliedbyasingle
DCpower
(+5V).AftertheDCtestoftheamplifierchips,wearbitrarilygotsomequantityofthese
chipsfromthe3inchwaferstobepackagedandmeasured,thenmadesomegainandphasestatistics
fortheseamplifiers.Wedemonstratedthatwithin300MHzbandwidthofSband,thegainsofthese
LNAsarebetween24.5dBand26dB,thep
您可能关注的文档
- IP位址表示法.PDF
- iPad2的CDMA前面板粘合带更换-iFixit.PDF
- IQDP80+QMB1200 006687015+Q1196 1512047D 维修报告.PDF
- Hydraulic gear pumps 液压齿轮泵 - Casappa.PDF
- ITAR出口法规遵守具强制性 - 台湾区航太工业同业公会.PPT
- Internal Inspection Guideline for Heater 取暖器验货指南 - 外贸验货员网.PPT
- ItemNo.2-1.3PE泡绵双面胶带5.建议用于汽车外饰件的粘接(用于平整.ppt
- IRS即时反馈式创新教学.PDF
- IX32.传播、教育和公众意识-CBD.doc
- i世代实务导向地工智能软体.PDF
文档评论(0)