一种38.4~43.4GHzCMOS压控振荡器-微电子学.PDF

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一种38.4~43.4GHzCMOS压控振荡器-微电子学

第 卷 第 期 微 电 子 学 , 46 3 Vol.46 No.3 年 月 2016 6 Microelectronics Jun.2016 췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍췍 一种38.4~43.4GHzCMOS压控振荡器 , , , 王志平 况立雪 陈 磊 池保勇 ( , ) 清华大学 微电子学研究所 北京 100084 : ( )。 摘 要 设计了一种基于 工艺的交叉耦合全差分 压控振荡器 为 65nmCMOS 40GHz VCO , 了减小仿真结果与测试结果的差距 对电感及其连接其他元件而延长的金属线在电磁场仿真软件 。 , 里重新进行了仿真 设计中应用了厚栅容抗管来增大电压的调谐范围 从而实现更高的频率覆盖 。 , , , 范围 流片后的测试结果表明 VCO的振荡频率覆盖 38.4~43.4GHz调谐范围达到 12.2% 符 合基于无线局域网IEEE802.11ad标准设计的两级下变频 60GHz无线收发机对本振频率的要 。 , 求 当振荡频率为39GHz时 应用该VCO的锁相环锁定在 41.76GHz时测得 1MHz偏移频率 / 。 , , 处的相位噪声为-90.9dBcHz 芯片采用1V电源电压供电 功耗为5.7~8.6mW 核心芯片面 积为( ) 2。 0.197×0.436 mm : ; ; 关键词 压控振荡器 毫米波 CMOS 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) TN752 A 1004-3365201603-0375-04 A38.4-GHzto43.4-GHzCMOSVoltaeControlledOscillator g , , , WANGZhiin KUANGLixue CHENLeiCHIBaoon p g y g ( , , , )

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