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二萘嵌苯二酰亚胺衍生物的半导体性质
物理化学学报(Wuli Huaxue Xuebao)
April 1059-1064 Acta Phys. -Chim. Sin., 2010, 26(4) : 1059
[Article]
二萘嵌苯二酰亚胺衍生物的半导体性质
蔡 雪1,2 齐冬冬1 张跃兴1 边永忠1 姜建壮1,*
(1 北京科技大学化学系, 北京 100083; 2 牡丹江师范学院化学系, 黑龙江牡丹江 157012)
摘要: 应用密度泛函理论研究了四种二萘嵌苯二酰亚胺(PDI)(N,N ′-二萘嵌苯-3,4,9,10- 四羧酸二酰亚胺(1), N,
N ′-二(3-氯苯甲基)二萘嵌苯-3,4,9,10- 四羧酸二酰亚胺(2), N,N ′-二(3-氟苯甲基)二萘嵌苯-3,4,9,10- 四羧酸二酰亚
胺(3)和N,N ′-二(3,3-二氟苯甲基)二萘嵌苯-3,4,9,10- 四羧酸二酰亚胺(4))半导体材料的最高占据轨道和最低未占
据轨道能量、离子化能和电子亲和能以及在电荷传导过程中的重组能. 与化合物2-4 的最高占据轨道和最低未
占据轨道能量变化相同, 在PDI 分子外围引入氯苯甲基或氟苯甲基后导致化合物2-4 的绝热电子亲和能有不
同程度的增加. 应用Marcus 电子传导理论, 计算了这四种半导体材料应用于有机场效应晶体管在电子传递过程
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