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吉林大学远程教育 本科生毕业论文（设计 中文题目 单片机定时系统设计 学生姓名 耿瑞海 专业 计算机科学与技术 层次年级 2014春专升本 学号11430108050001指导教师 王新颖 学习中心 山东杏林科技职业学院 成绩 2016年 4 月 19 日 摘 要 在现代社会各领域中，广泛需要各种不同的定时系统，来完成某段定时操作功能，用单片机实现定时控制，是当前实时控制的发展方向，目前研制的一些定时系统，只能满足特定领域的需要，同时其控制时间的输入，只能根据用户的需要输入到存储器中。 本文介绍的通用单片机定时系统，具有很强的通用性，并且其定时时间可以根据需要由用户任意更改，极大地方便了使用者。本系统的定时时间可以到分，根据实际需要也可以定时到秒。本系统以单片开发机为核心，显示板、双向移位寄存器、二位BCD编码器、三位二进制编码器、控制输出、掉电保护等部分组成。该系统具有体积小，价格低廉，运用灵活，使用方便等特点。 关键词: 单片机 定时 目 录 一 绪论 1．1单片机发展历史及前景………………………………………..4 二 系统硬件介绍及设计……………………………………………..8 2．1系统硬件组成及原理…………………………………………..8 2．1．1 8051单片机 ……………………………………………….8 三 系统软件介绍及设计 …………………………………………...19 3．1设计思想 ………………………………………………………18 3．2 显示子程………………………………………………………..21 3．3时钟时间输人子程 …………………………………………….21 3．4 控制时间输人子程 ……………………………………………21 3．5 时钟子程 ……………………………………………………….21 3．6 控制比较 l 子程……………………………………………….22 3．7 控制比较 2 子程……………………………………………….23 三 参考文献………………………………………………..……….25 四 谢 辞 …………………………………………………………….26 一 绪论 1．1单片机发展历史及前景： 单片机出现的历史并不长, 但发展十分迅猛。它的产生与发展和微处理器的产生与发展大体同步, 自1971年美国Intel公司首先推出4位微处理器以来, 它的发展到目前为止大致可分为5个阶段： 第1阶段（1971～1976）: 单片机发展的初级阶段。1971年11月Intel公司首先设计出集成度为2 000只晶体管/片的4位微处理器Intel 4004, 并配有RAM、ROM和移位寄存器, 构成了第一台MCS—4微处理器, 而后又推出了8位微处理器Intel 8008, 以及其它各公司相继推出的8位微处理器。 第2阶段（1976～1980）: 低性能单片机阶段。以1976年Intel公司推出的MCS—48系列为代表, 采用将8位CPU、8位并行I/O接口、8位定时/计数器、RAM和ROM等集成于一块半导体芯片上的单片结构, 虽然其寻址范围有限（不大于4 KB）, 也没有串行I/O, RAM、ROM容量小, 中断系统也较简单, 但功能可满足一般工业控制和智能化仪器、仪表等的需要。 第3阶段（1980～1983）: 高性能单片机阶段。这一阶段推出的高性能8位单片机普遍带有串行口, 有多级中断处理系统, 多个16位定时器/计数器。片内RAM、ROM的容量加大,且寻址范围可达64 KB, 个别片内还带有A/D转换接口。 第4阶段（1983～80年代末）: 16位单片机阶段。1983年Intel公司又推出了高性能的16位单片机MCS—96系列, 由于其采用了必威体育精装版的制造工艺, 使芯片集成度高达12万只晶体管/片。 第5阶段（90年代）: 单片机在集成度、功能、速度、可靠性、应用领域等全方位向更高水平发展。 纵观单片机的发展过程，可以预示单片机的发展趋势，大致有： 1．低功耗CMOS化 MCS-51系列的8031推出时的功耗达630mW，而现在的单片机普遍都在100mW左右，随着对单片机功耗要求越来越低，现在的各个单片机制造商基本都采用了CMOS(互补金属氧化物半导体工艺)。像80C51就采用了HMOS(即高密度金属氧化物半导体工艺)和CHMOS(互补高密度金属氧化物半导体工艺)。CMOS虽然功耗较低，但由于其物理特征决定其工作速度不够高，而CHMOS则具备了高速和低功耗的特点，这些特征，更适合于在要求低功耗