孙晓红-CELL解析介绍(T).ppt

CELL解析介紹 何謂解析？ 工作重點： 不良面板解析、責任釐清、成因分析、回饋工程單位進行改善 工作目的： 解決問題、提升良率 處理流程 大綱 TFT LCD原理介绍 不良項目分類 解析手法與工具 分析儀器 實例說明 結語 大綱 TFT LCD原理介绍 不良項目分類 解析手法與工具 分析儀器 實例說明 結語 面板結構圖 TFT元件結構 TFT Device FFS TFT元件結構 Array面板說明 CELL製造流程-3 目的：在於提供上下基板的結合應力，並使液晶注入後不致外洩。 材料：在120℃左右硬化熱固性環氧樹脂 製程：框膠塗佈乃擠壓式塗佈，利用氮氣擠壓針筒內的框膠，使框膠經過針頭 擠出， 再控制反吸時間吸住框膠，以進行下一筆塗佈。 大綱 TFT LCD製程簡介 不良項目分類介紹 解析手法與工具介紹 分析儀器介紹 實例說明 結語 不良分類 輝點解析mode分類-1 輝點解析mode分類-2 線欠陷解析mode分類-1 線欠陷解析mode分類-2 異物類-纖維解析mode分類 異物類-spacer凝集解析mode分類 大綱 TFT LCD製程簡介 不良項目分類介紹 解析手法與工具介紹 分析儀器介紹 實例說明 結語 解析手法 點燈判定 OM判定 拆解面板 雷射定位法 位移點燈法 呼氣相觀察 光源確認 點燈判定 點燈判定 OM判定 OM判定 拆解面板 拆解面板-面板外觀 雷射定位法 位移點燈法 位移點燈法 位移點燈法 位移點燈法 位移點燈法 位移點燈法 辉点解析流程 呼氣相觀察 光源確認 分析工具 系統工具： Web Report查詢 資訊流查詢重點： 線別or機台集中性 面取與位置分佈 CF or TFT Lot集中性 相關製程發生時間分佈or時間集中性 生產人員or 班別集中性 大綱 TFT LCD製程簡介 不良項目分類介紹 解析手法與工具介紹 分析儀器介紹 實例說明 結語 SEM EDX FT-IR FIB GC-MS AFM 預傾角量測機 解析工具與手法 大綱 TFT LCD製程簡介 不良項目分類介紹 解析手法與工具介紹 分析儀器介紹 實例說明 結語 一線膜內刮傷-1 一線膜內刮傷-2 一線膜內刮傷-3 一線膜內刮傷-4 輝點(Cr異物)-1 輝點(Cr異物)-2 輝點(Cr異物)-3 大綱 TFT LCD製程簡介 不良項目分類介紹 解析手法與工具介紹 分析儀器介紹 實例說明 結語 結語 成為一位優秀的解析人員需具備 熟悉面板製程、面板結構及生產作業性 敏銳的觀察能力及強烈的求知慾 熟悉數據查詢工具及數據分析方式 可靈活應用解析手法及分析儀器 良好的邏輯能力及判斷能力 步驟一：標示不良位置 於背光盒或者是點燈機上，標示出不良位置 步驟二：切開面板 用刀片將面板四周的框膠切開 步驟三：位移面板 CF側位移約3~4mm，使位移後的TFT與CF記號，能夠作區分，並於背光盒下確認是否Gap離異或有干涉條紋出現。 步驟四：截掉突出部分 若需上點燈機確認，需將位移後，CF突出部分截掉，以免影響點燈。 步驟五：重新點燈確認 觀察不良現象是否跟隨CF側移動。若是，則為CF側不良。若否，則為TFT側不良。 位移前 位移後 OM是否可見 是否為CF / TFT原材不良 按壓面板 OM觀察 P檢輝點 回饋CF / Array 是否移動 懸浮異物 取樣分析 面板拆解 觀察側別 去LC觀察 取樣分析 是否為CF / TFT原材不良 報表查詢 確認集中性 回饋工程對策 Yes No No Yes No Yes No Yes 使用時機：配向條紋類不良、不均類、膜厚異常、膜面刮傷等 使用方法：此設備置於配向段，於暗室中利用蒸汽搭配綠光燈進行目視觀察 觀察重點：利用膜面上附著一層薄蒸汽後，觀察PI膜面差異 配向條紋產生機制 配向條紋產生機制 呼氣相配向條紋現象 使用時機：不均mura類、膜厚異常、背面刮傷 使用設備：強光燈、綠光，搭配角度及去PI膜前後觀察，釐清異常層別 觀察重點：利用光源之反射光，觀察異常現象 綠光燈 白光燈 機台位置：凌巨解析室、龍潭廠解析室 解析方法：掃描式電子顯微鏡的成像原理是利用高速電子束打擊試片，將產生的各種訊號收集，利用收集所得的訊號進行成像或是分析 應用時機：異常現象放大觀察、裂片進行膜厚量測 SEM（Scanning Electronic Microscopy，掃瞄式電子顯微鏡） OM（光學顯微鏡） SEM OM（光學顯微鏡） SEM 靜電破壞面板，SEM 分析為PI印刷後擊傷 膜面刮傷，SEM觀察 為PI印刷後造成 EDX（Energy Dispersive X-ray analysis，能量分散X光譜儀） 機台位置：凌巨解析室、龍潭廠解析室 解析方法：