关键词摘要引言电浆基本特性与鞘层电位-机械工业杂志.PDFVIP

太陽光電製程設備技術專輯 漿 程 序 中 所 使 用 的 射 頻 電 容 耦 合 電 漿 源 (RF 關鍵詞 capacitively coupled plasma source, 簡稱 CCP)的射頻 功率必須不斷提高，進而提高電漿密度，然而此舉 ‧電容耦合電漿源 CCP 又將造成矽薄膜遭受大量離子轟擊，產生缺陷，致 ‧射頻 RF 使太陽電池的電性與效率受到影響。因此減少電漿 ‧電漿電位 Plasma Potential 中的離子在薄膜沉積時對薄膜的轟擊，成為 CCP 的 特性改良的重要課題，而其中 CCP 的電漿電位過高 摘要 是離子轟擊效應的主因，因此必須針對電漿電位的 成因進行探討，進而控制電漿電位在合理的範圍之 內。 矽薄膜太陽電池的電漿製程程序中所使用的射 頻電容耦合電漿源，其特性乃是決定薄膜太陽電池 鍍膜速率及品質的關鍵因素，本文對於這些特性， 電漿基本特性與鞘層電位 特別是其中的電漿電位對電漿的影響，將作進一步 的探討。 在一群氣體分子之間存有極微量的游離電子， 這些為數不多的電子被外力(通常為電場或磁場)加 引言 速後，撞擊氣體分子使其成為正離子或激發態分 子，同時也產生與正離子為數相同的游離電子，這 為了增加矽薄膜太陽電池的薄膜沉積速率，電 些游離電子繼續撞擊氣體分子又產生更多的離子與 88 │ │ 314 期 │