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应用指导书 样品名：ME8202 版本号：V1.0 日 期：2012-4-11 地址：南京玄武区玄武大道699-8号一号楼5层 025 Page 1 of 10 一、 芯片基本介绍 ME8202主要是针对适配器、充电器、开板电源、家电类、通信类电源而设计 的一款高性能控制芯片。 主要特点如下： 1)低待机功耗：通过低功耗间歇工作模式设计达到超低耗的性能。 2)无噪声工作：优化的芯片设计可以使系统任何工作状态下均可安静地工作。 3)更低启动电流： VIN/VDD启动电流低至 3uA，可有效地减少系统启动电路的 损耗，缩短系统的启动时间。 4)更低工作电流：工作电流约为 1.8mA， 可有效降低系统的损耗,提高系统的效 率。 5)内置前沿消隐：内置前沿消隐（LEB），可以节省一个外部的R-C网络，降低 系统成本。 6)内置 OCP 补偿：内置了 OCP 补偿功能，使系统在不需要增加成本的情况下轻 易使得全电压范围内系统的OCP曲线趋向平坦， 提高系统的性价比。 7)完善的保护功能：集成了较完善的保护功能模块。OVP，UVLO，OCP，恒定的 OPP 和外部可调节的 OTP功能可以使系统设计简洁可靠，同时满足安规的要求。 8)MOSFET软驱动：可有效的改善系统的EMI。 9)较少的外围器件：外围比较简单，可有效提高系统的功率密度，降低系统的成 本。 10）优良的 EMI 特性： 内置的频率抖动设计可以很有效的改善系统的 EMI 特 性，同时可以降低系统的EMI 成本。 地址：南京玄武区玄武大道699-8号一号楼5层 025 Page 2 of 10 二、管脚定义 引脚名称 描述说明 GND 芯片地 FB 反馈输入引脚。 PWM占空比取决于这个引脚电压等级和SENSE引脚 输入。 VIN OCP补偿设置、高压启动脚。 RI 内部振荡器频率设置引脚。RI和GND之间连接一个电阻器设定PWM 频率。 RT 过温保护设置脚 SENSE 电流检测输入引脚。连接到MOSFET的电流检测电阻器节点。 VDD 芯片直流电源引脚。 GATE 图腾柱栅极驱动输出的功率MOSFET。 三、功能框图 地址：南京玄武区玄武大道699-8号一号楼5层 025 Page 3 of 10 四、各脚的功能以及调试中注意事项： 1 VIN脚： . 如果系统使用 3 脚 VIN 端作启动时，系统会具有较好的 OCP 补偿特性。当系统的输 入电压发生变化时，通过启动电阻流过 VIN端的电流也会发生变化，芯片通过检测该变 化值来自动实现补偿，使系统在较宽输入电压范围内的 OCP 曲线比较平坦，达到恒功率 输出的目的，工作频率为 65KHz，启动电阻为 1MΩ 的演示板上测得的 OCP 曲线高低压 偏差非常小。 启动电阻 RIN 的最大功率损耗： 在下图中，RIN 的最大功率损耗可以用下面的公式计算出来，公式如下： Vdc,max： 最大输入电压整流后的直流电压 V ： 芯片正常工作的电压 2. FB反馈输入脚： 了解该脚各电压门限相对应的系统工作状态对分析和优化系统设计非常有帮助的。 1.0V-1.8V为系统在轻载间歇模式下的FB脚电压值，1.8V-4.4V为系统正常工作时FB 脚电压值，4.4 V-5.8V为反馈环路开路，过功率保护，短路保护时FB脚电压值。1.0V （典型值）以下GATE端输出被关闭，FB短路电流典型值为0.65mA。当FB脚电压持续 80mS大于4.4V或小于0.9V时,GATE端立即关闭输出脉冲，