低温烧结Al2O3-Bi2O3陶瓷基板的性能研究.pdfVIP

·62 · 材料导报 ：研究篇 2010年 6月(下)第24卷第6期 低温烧结Al2o3一Bi2o3陶瓷基板 的性能研究 张昌松，王 珍，党新安 (陕西科技大学机 电工程学院，西安 710021) 摘要 以A1z03和Biz03为主要原料 ，添加微量烧结助剂，采用传统的陶瓷制备工艺制备片式熔断器基体材 料。采用X射线衍射分析、扫描 电镜 (SEM)对材料进行 了观察和性能测试。结果表 明，随着烧结温度的升 高和 Biz()3含量的增多，基体材料的致密度和收缩率均相应增大；相对介电常数随着温度的升高而增大，而介电损耗减小； 当Al2O3质量分数为 5O 时，基体材料经 950℃保温 2h烧结后 ，p一3．87g／cm。Ef一 33．92，tan~=0．036，满足低介 电 损耗性能要求。 关键词 低温 烧结 氧化铋 显微结构 性能测试 TheSubstratePropertiesofAI203一Bi203Ceram icinLow-temperatureSintering ZHANG Changsong，W ANG Zhen，DANG Xin’an (InstituteofElectricalandMechanicalEngineering，ShaanxiUniversityofScienceandTechnology，Xi’an710021) Abstract Chipfusebasematerialispreparedusingtraditionalceramicprocesswith Bi203andA120338main raw materials，addingsinteringadditives．ThematerialisanalyzedbyXRD，SEM andtestedfunctionally．Theresults show thatwiththeincreaseofsinteringtemperatureand incensementofBi2O3content，thedensityand shrinkageof substratematerialsincreasesaccordingly．W iththeincreaseoftemperature，thedielectricconstantincreases，while thedielectriclossdecreases．WhentheAI203qualityscoref0r5O ，theperformanceofsamplereaches_D一3．87g／cm3， ￡一33．92，tan8=0．036aftersinteringat950。，afterkeeping2h，itreachestheperformancerequirementsoflow dielec— triclOSS． Keywords low-temperature，sintering，oxidationbismuth，microstructure，performancedetection 璃+陶瓷”的方法，陶瓷相选用力学强度大、高绝缘性、低介 0 引言 电损耗的A10。，玻璃料采用低熔点的氧化铋复合材料，并对 低温共烧多层陶瓷基板作为第五代组装技术基板 ，受到 该组分的复合基板材料的烧结性能、介电性能进行了较为系 国内外研究者的极大关注，目前在航空、航天、通讯及大型计 统的研究。 算机领域已得到广泛应用口]，其中表面贴装熔断器作为一种 1 实验 轻薄小的新型元件，适用于结构紧凑、体积微小的各类 电子 产品，应用领域非常广阔，尤其集中在当前时尚流行的数码 1．1 样品制备 手持电子设备中。因此，