QJB103A-2010 元器件筛选技术条件.pdf

Q/QJB 中 国 航 天 科 工 集 团 公 司 标 准 Q/QJB 103.1A～103.15A—2010 代替 Q/QJB 103.1～103.14—2003 元器件筛选技术条件 2010－12－23 发布 2011－01－01 实施 中国航天科工集团公司 发布 Q/QJB 103A—2010 目 次 前言 II 第 1 部分：总则 1 第 2 部分：半导体二极管 3 第 3 部分：微波二极管 6 第 4 部分：半导体三极管 8 第 5 部分：场效应晶体管、可控硅、IGBT 10 第 6 部分：半导体单片集成电路 12 第 7 部分：半导体混合集成电路 14 第 8 部分：电容器 16 第 9 部分：电位器 18 第 10 部分：电阻器 19 第 11 部分：电感器 20 第 12 部分：继电器 21 第 13 部分：石英谐振器 23 第 14 部分：晶体振荡器 24 第 15 部分：半导体光电器件 26 I Q/QJB 103A—2010 前 言 Q/QJB 103A《元器件筛选技术条件》共分为十五部分： ——第1部分：总则； ——第2部分：半导体二极管； ——第3部分：微波二极管； ——第4部分：半导体三极管； ——第5部分：场效应晶体管、可控硅、绝缘栅双极晶体管（IGBT）； ——第6部分：半导体单片集成电路； ——第7部分：半导体混合集成电路； ——第8部分：电容器； ——第9部分：电位器； ——第10部分：电阻器； ——第11部分：电感器； ——第12部分：继电器； ——第13部分：石英谐振器； ——第14部分：晶体振荡器； ——第15部分：半导体光电器件。 本标准代替Q/QJB 103—2003《元器件筛选技术条件》。 本标准与Q/QJB 103—2003相比主要变化如下： ——在总则中提出主要针对元器件的二次筛选或补充筛选需要进行的项目、条件及PDA； ——减少了原标准中规定的高温贮存试验时间；取消了原标准中塑封表贴集成电路的高温贮存试验 项目，增加了扫描声学显微镜检查试验项目； ——对原标准第2部分、第3部分、第4部分、第5部分、第6部分、第7部分、第8部分的功率老炼试 验条件进行修订； ——对原标准第2部分、第3部分、第4部分、第5部分、第6部分、第7部分的PIND振动条件确定为“B” 条件； ——删除了原标准筛选程序中非必要的中间测试要求； ——对元器件类别进行了分类合并，形成了微波二极管、半导体光电器件部分； ——增加了第15部分：半导体光电器件。 本标准由中国航天科工集团公司科技与质量部提出并归口。 本标准起草单位：中国航天科工集团第二研究院第二〇一研究所。 本标准主要起草人：张虹、左洪涛、唐川、刘椿楠、孙林。 本标准于2003年11月首次发布。