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第一章常用半导体器件 半导体二极管的型号(补充) 国家标准对半导体器件型号的命名举例如下： 2 A P 9 用数字代表同类型器件的不同型号 用字母代表器件的类型，P代表普通管 用字母代表器件的材料，A代表N型Ge B代表P型Ge，C代表N型Si，D代表N型Si 2代表二极管，3代表三极管 1. 2.4二极管的常用电路模型（4） 1. 2.6二极管应用举例（12） 半导体三极管的型号（补充） 国家标准对半导体三极管的命名如下： 3 D G 110 B 用字母表示同一型号中的不同规格 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示器件的种类 用字母表示材料 三极管 第二位：A表示锗PNP管、B表示锗NPN管、C表示硅PNP管、D表示硅NPN管 第三位：X表示低频小功率管、D表示低频大功率管、G表示高频小功率管、A表示高频小功率管、K表示开关管。 半导体三极管型号（1） 半导体三极管型号（2） 1. 4.3场效应管的主要参数（5） I CN IE I BN I CBO IB 3) 集电区收集扩散过 来的载流子形成集 电极电流 IC IC I C = ICN + ICBO 1. 3.2BJT的电流放大作用（4） 4. 三极管的电流分配关系 　　当管子制成后，发射区载流子浓度、基区宽度、集电结面积等确定，故电流的比例关系确定，即： IB = I BN ? ICBO IC = ICN + ICBO 穿透电流 1. 3.2BJT的电流放大作用（5） IE = IC + IB 1. 3.2BJT的电流放大作用（6） 1.3.3 晶体三极管的特性曲线 一、输入特性 输入 回路 输出 回路 与二极管特性相似 1. 3.3晶体三极管的特性曲线（1） O 特性基本重合(电流分配关系确定) 特性右移(因集电结开始吸引电子) 导通电压 UBE(on) 硅管： (0.6 ? 0.8) V 锗管： (0.2 ? 0.4) V 取 0.7 V 取 0.3 V 1. 3.3晶体三极管的特性曲线（2） 二、输出特性 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 截止区： IB ? 0 IC = ICEO ? 0 条件：两个结反偏 截止区 ICEO 1. 3.3晶体三极管的特性曲线（3） iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 2. 放大区： 放大区 截止区 条件： 发射结正偏 集电结反偏 特点： 水平、等间隔 ICEO 1. 3.3晶体三极管的特性曲线（4） iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 3. 饱和区： uCE ? u BE uCB = uCE ? u BE ? 0 条件：两个结正偏 特点：IC ? ? IB 临界饱和时： uCE = uBE 深度饱和时： 0.3 V (硅管) UCE(SAT)= 0.1 V (锗管) 放大区 截止区 饱 和 区 ICEO 1. 3.3晶体三极管的特性曲线（5） 1.3.4 晶体三极管的主要参数 一、电流放大系数 1. 共发射极电流放大系数 iC / mA uCE /V 50 μA 40 μA 30 μA 20 μA 10 μA IB = 0 O 2 4 6 8 4 3 2 1 — 直流电流放大系数 ? — 交流电流放大系数 一般为几十 ? 几百 Q 1. 3.4晶体三极管的主要参数（1） iC / m