te 掺杂单层mos 2 的电子结构与光电性质.pdf

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2017-09-03 发布于天津
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te 掺杂单层mos 2 的电子结构与光电性质

第35卷摇第7期发摇光摇学摇报 Vol郾35 No郾7 2014年7月 CHINESEJOURNAL OF LUMINESCENCE July,2014 文章编号:1000鄄7032(2014)07鄄0785鄄06 Te掺杂单层MoS 的电子结构与光电性质 2 1 1,2 * 1 张昌华 ,余志强 ,廖红华 (1. 湖北民族学院电气工程系,湖北恩施摇 445000; 2. 华中科技大学光学与电子信息学院武汉光电国家重点实验室,湖北武汉摇 430074) 摘要:采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Te掺杂对单层MoS 能带结构、电子态密度和光电 2 性质的影响。结果表明,本征单层MoS 属于直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.64 eV。本征单层 MoS 2 2 的价带顶主要由S鄄3p态电子和Mo鄄4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo鄄4d态电子和S鄄3p态电子共同决定;Te掺杂单层MoS 为间接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.47 eV。同时通过Te掺杂,使单层 MoS 的静 2 2 态介电常数增大,禁带宽度变窄,吸收光谱产生红移,研究结果为单层MoS 在光电器件方面的应用提供了理 2 论基础。关摇键摇词:第一性原理;单层MoS ;电子结构;光电性质 2 中图分类号:O471.5摇摇摇文献标识码:A摇摇摇 DOI:10.3788/ fgx0785 Electronic Structure and Photoelectric Properties of Te鄄doped Single鄄layer MoS2 1 1,2* 1 ZHANG Chang鄄hua ,YU Zhi鄄qiang ,LIAO Hong鄄hua (1. Department of Electrical Engineering,Hubei Universityfor Nationalities,Enshi445000,Chi