沉积参数对ito表面形貌及晶体结构的影响 - 武汉理工大学学报.pdf

第 卷 第 期 武 汉 理 工 大 学 学 报 34 暋 10 暋 暋 暋 暋 暋 暋 暋 Vol.34暋No.10 年 月 JOURNALOFWUHANUNIVERSITYOFTECHNOLOGY 暋Oct.2012 2012 10 棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁棁 : / doi10.3963 .issn.1671灢4431.2012.10.002 j 沉积参数对ITO表面形貌及晶体结构的影响 , , , 邱 阳 金杨利 祖成奎 赵 华 暋 暋 ( , ) 中国建筑材料科学研究总院 北京 100024 : , 摘 要 利用离子辅助电子束蒸发技术在不同沉积工艺参数下制备了 薄膜 详细讨论了沉积工艺参数的变化对 暋 暋 ITO 。 : , , 。 ITO薄膜表面形貌及晶体结构的影响 结果表明 随基板温度的升高 ITO薄膜的缺陷增多 表面粗糙度增大 高温下 , [ ] ; , , , 沉积的薄膜为多晶结构 并呈现 111择优取向 随着沉积速率的升高 薄膜表面粗糙度变大 结晶度升高 晶粒尺寸增 , [ ] , 。 大 呈现出沿 001取向择优生长的趋势 并且低速率下沉积的薄膜中包含除立方氧化铟外的其他晶相 : ; ; ; ; 关键词 薄膜 表面形貌 晶体结构 基板温度 沉积速率 暋ITO 暋 暋 暋 暋 中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( ) 暋O484.4 暋A 1671灢4431201210灢0005灢04 EffectofDeositionParametersonMorholo andCrstalline p p gy y StructureofITOThinFilms , , , QIUYan JINYan灢liZUChen灢kuiZHAOHua g g g ( , , ) ChinaBuildin MaterialAcadem Beiin 100024China g y jg Abstract: