应用于td-lte 的sige bicmos 功率放大器的设计 - 微电子学.pdf

第44卷 第4期 微 电 子 学 Vol.44,No.4 2014年8月 Microelectronics Aug.2014 应用于 的 功率 TD-LTE SiG BiCMOS 放大器的设计 李慧超，张世林，毛陆虹，李杨阳，谢 生 (天津大学 电子信息工程学院，天津 300072) 摘 要： 针对准第四代无线通信技术TD-LTE 中2.570~2.620GHz频段的应用，设计了一款基 于IBMSiG BiCMOS7WL工艺的射频功率放大器。该功率放大器工作于AB类，采用单端结构， 由两级共发射极电路级联构成，带有基极镇流电阻，除两个谐振电感采用片外元件外，其他全部 元件均片上集成，芯片面积为(1.004×0.736)mm 。测试结果表明，在3.3V 电源电压下，电路总消2 耗电流为 109mA，放大器的功率增益为16dB，输出1dB增益压缩点为 15dBm 。该驱动放大 器具有良好的输入匹配，工作稳定。 关键词： SiG BiCMOS；TD-LTE；功率放大器 中图分类号：TN431 文献标识码：A 文章编号：1004-3365(2014)04-0424-06 ASiGeBiCMOSPowerAmplifierforTD-LTE LIHuichao, ZHANGShilin, MAOLuhong, LIYangyang, XIESheng (SchoolofElectronicInformationEngineering, TianjinUniversity,Tianjin300072,P.R. China) Abstract： A SiG BiCMOSpower amplifier(PA)waspresented forth 2.570~2.620 GHzband ofth quazi fourth generation TD-LTE wireless application, which was based on IBM SiG BiCMOS7WL process. This power amplifier worked in classAB singl ended structur forwhich two stag common emitter structur with bas ballast resistor was 2 used.All componentsexcepttwo resonant inductanceswer integrated on-chipandth chipareawas 1.004×0.736mm . Measurementresultsdemonstratedthatth circuitachieved 16dBofgain,a 1dBoutputcompressionpointbetterthan 15 dBm at 3.3 V supply voltag , and th total supply current was 109 mA. Th power amplifier features good input impedanc matchandstaysstabl working. Keywords：SiG BiCMOS;TD-LTE;Poweramplifier 工艺具有高电流密度和击穿电压器件，但热传导性