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氧分压对nio x 薄膜微结构和电阻开关特性的影响① - 西南大学学报
( )
第 卷第 期 西 南 大 学 学报 自然科学版 年 月
３８ １ ２０１６ １
( )
Vol３８ No１ JournalofSouthwestUniversit NaturalScienceEdition Jan ２０１６
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: /
DOI １０１３７１８ cnkixdzk２０１６０１０２１
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氧分压对NiOx 薄膜微结构和
电阻开关特性的影响①
王瑞雪, 霍进迁, 张祎杨, 朱华星, 邱晓燕
,
西南大学 物理科学与技术学院 重庆 ４００７１５
: ( ) ,
摘要 利用磁控溅射方法在镀 的 衬底上沉积制备 薄膜 研究了氧分压对薄膜微结构和电阻开关特
Pt Si１００ NiOx
: , [ ] ,
性的影响 微结构观测分析结果表明 在 氧分压下 可获得沿 晶向择优生长的 多晶薄膜 薄膜表
． ２０％ ２００ NiOx
, ,
面平整致密 晶粒平均直径约为 垂直衬底生长形成柱状晶粒结构 磁性测试结果显示薄膜具有典型的铁
１３８nm ．
,
磁性磁化曲线 但薄膜饱和磁矩随着氧分压增加急剧降低 电学测试结果表明 氧分压氛围下沉积制备薄膜样
． ２０％
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品的电流 电压曲线呈现出典型的双极性电阻开关特性 在 读取电压下 可获得大于 的高 低电阻态阻
－０６V １０
: ; ,
值比 指数定律拟合电流 电压实验曲线表明 薄膜低电阻态漏电流为欧姆接触电导 而薄膜处于高电阻态时 低电
．
,
压下的漏电流仍以欧姆接触电导为主 高电压下则以缺陷主导的空间电荷限制电流为主．
: ; ;
关 键 词 薄膜 微结构 电阻开关特性
NiOx
中图分类号: ＋ 文献标志码: 文章编号: ( )
O４７２ ４ A １６７３ ９８６８２０１６０１ ０１３３ ０５
, , ,
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