n 沟道sic 功率mosfet cge1m120080.pdf

N 沟道 SiC 功率 MOSFET CGE1M120080 特点 VDS 1200V ID 31A 低导通电阻下的高阻断电压 RDS(on) 80mΩ 高速开关特性 低的开关损耗 TO-247 Package 低反向快速恢复二极管特性 优点 高的系统效率 低的冷却需求 高的功率密度 更高的系统开关频率 1. 栅极 2. 漏极 3. 源级 应用 3 新能源 开关电源 1 高压 DC/DC转换器 电机驱动 2 光伏逆变器 o 最大额定值(除非另外说明 ，否则 T = 25 C) C 参数 符号 值 单位 漏源电压 VDSS 1200 V N 沟道 SiC 功率 MOSFET CGE1M120080 Tc=25°C ID*1 31 A 漏极电流 Tc=100°C ID*1 22 A 脉冲漏极电流 ID,pluse*2 77 A 栅源电压 VGSS -4~22 V 工作结温 Tj 175 ℃ 存储温度范围 Tstg -55~+175 ℃ o 电气特性(除非另外说明 ，否则 T = 25 C) C 静态特性 值 参数 符号 单位 测试条件 最小值 典型值 最大值 漏源击穿电压 V 1200 - - V V =0V, I =1mA (BR)DSS GS D 栅极阈值