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“五四青年交流会”report内容简介 汤晨光（材料开放） 报告题目：Observation of photogalvanic current for interband absorption in InN films at room temperature 摘 要：The linear and circular photogalvanic effects have been observed firstly in undoped InN films for the interband transition by irradiation of 1060 nm laser at room temperature. The spin polarized photocurrent depends on the degree of polarization, and changes its sign when the radiation helicity changes from left-handed to right-handed. This result indicates the sizeable spin-orbit interaction in the InN epitaxial layer and provides an effective method to generate spin polarized photocurrent and to detect spin-splitting effect in semiconductors with promising applications on spintronics. 康亭亭（材料开放） 本人在世界上率先开展利用MOCVD生长InN 纳米结构的工作。在本人之前，世界上还没有关于用MOCVD生长InN 纳米结构的研究工作被发表。本人因此得到了大量原创性的重要结果。 （1）本人在世界上首次提出了氢致自催化方法，并首次生长出氮化铟的六角对称纳米花结构，相应的研究成果(Appl. Phys. Lett. 89, 071113 (2006))发表以后，在国际上引起巨大反响。其中纳米科技的顶级刊物《自然纳米技术》（nature nanotechnology，自然（Nature）子刊）专门撰写评论并予以高度评价，并把我们的研究成果评选为网络版的研究亮点（research highlights），见 /nnano/reshigh/2006/0906/full/nnano.2006.48.html 。值得称道的是，我们的这一研究成果又被nature nanotechnology栏目中进一步挑选出来，作为《自然纳米技术》杂志的研究亮点，将相关评论发表在其印刷版上，见：nature nanotechnology，Page 13,VOL 1，OCTOBER 2006. （2）本人对InN特殊的花状生长模式开展研究，在实验上实现了具有不同对称性的InN纳米花。在此基础上，本人在吴尔夫理论（Wulff theory）的基础上，利用吴尔夫构造（Wulff construction），对InN特殊的花状生长模式提出了一个统一理论。 （3） 本人利用氢致自催化法成功得到高质量InN nanotubes, nanorods，从而在世界上首次在无氧条件下得到InN nanotubes。我们的结果表明氢致自催化法不仅可以得到特殊的InN 纳米结构-纳米花，也可以得到通用的InN 纳米结构- nanotubes 和nanorods，再次证明氢致自催化法的巨大潜力。 （4）本人在世界上首次指出表面等离子体振荡（SPR）对氮化铟光学性质的重要影响，进而指出世界顶级物理学期刊 Physical Review Letters的错误，导致了以下修正的发表：Erratum: Mie Resonances, Infrared Emission, and the Band Gap of InN [Phys. Rev. Lett. 92, 117407 (2004)]，Phys. Rev. Lett. 95, 209901 (2005)。 这个工作纠正了人们对氮化铟光学性质的一些广泛流传的错误观点。 高海永（材料中心） 报告题目：非极性GaN的一阶和二阶拉曼散射研究 摘 要：在不同的几何配置下，利用拉曼散射光谱研究了MOCVD方法生长的非极性a-面GaN。计算了a-面GaN的应力，发现非极性GaN表面的应力呈各向异性。。在100K到50K温度范围内对非极性GaN薄膜进行变温拉曼散射光谱研究。测试表明A1(TO)和E2(high)声子的频率和强度都随温度的升高而减小，而半高宽随温度的升高而增大。讨论了a-面G