Hiden Espion 型探针诊断原理及结果.PPT

中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP Research Center of Laser Fusion CAEP Research Center of Laser Fusion CAEP 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP Hiden Espion 型探针诊断原理及结果 * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP Espion 射频补偿探针结构图 Hiden公司的Epsion型Langmuir探针结构图 Espion探针诊断得到的原始数据是一条I-V曲线，对I-V曲线做二阶微分可以得到电子能量分布函数: * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP Epsion探针数据处理过程 * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP 再对I-V曲线进行三次拟合，便可得到等离子体的其他参数。 Epsion探针数据处理过程 * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP 第一次拟合得离子密度Ni：拟合I2-V的曲线，找到斜率，使用下面的方程计算得到Ni。 Epsion探针数据处理过程 * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP 第二次拟合得电子温度Te和电子密度Ne：使用Ln（Ie）-V的曲线，找到过渡区的斜率，通过 计算得Te。为得到电子密度Ne，使用电子饱和区的电流Iest（这个电流值就是Vp所对应的电流）。 通过方程： 计算得到Ne。 Epsion探针数据处理过程 * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP 第三次拟合得等离子体电势Vp：电子饱和区的斜率和过渡区的斜率的交叉点所对应的电压值就是Vp。 Epsion探针数据处理过程 * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP 以上过程均由探针自带软件自动或手动处理完成！ Epsion探针数据处理过程 * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP 工作气压设定在5Pa 气体流量比为10:0.4 得到实验结果 实验中，等离子体产生方式为射频辉光放电等离子体，射频频率为：40.68MHz。 射频功率10W Espion探针诊断试验设计 实验条件 * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP 实验结果 * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP Espion探针诊断等离子体得到的I-V曲线： Epsion探针诊断实验结果 * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Division of Target Science and Fabrication LFRC CAEP 根据I-V曲线计算出等离子体的参数： Vf（V） Vp*(V) Vp(V) Te(eV) Ne Ni Db(m) 16.96 25.071 27.365 3.92 1.18*1015 1.16*16 4.3*10-4 Epsion探针诊断实验结果 * 中国工程物理研究院激光聚变研究中心靶科学与制备部 Divi