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退火温度对BNT-BKT-ST薄膜结构和压电性能的影响.pdf
2016年12月
ofInner
第35卷第4期 Journal Mongolia ofScienceand V01.35.No.4
University Technology
文章编号:2095—2295(2016)04—0388—04
DOI:10.16559/j.cnki.2095—2295.2016.04.019
朱彦,李如月,沈圳,杨松,仪鹏,李伟4
(聊城大学材料科学与工程学院,山东聊城252000)
关键词:BNT;无铅;薄膜;退火;压电
中图分类号:TB34 文献标识码:A
存区域具有极高的电致应变特性,因而备受研究者关注.本研究利用溶胶法在Pt衬底上制备了BNT.BKT—ST无铅
压电薄膜,研究了退火温度(800。c一1
薄膜均为单一钙钛矿结构,无杂相产生;随着退火温度升高,薄膜表面空隙率降低,晶粒长大,当退火温度达到1
000℃
100℃时,出现异常长大的条状晶粒;BNT—BKT—ST薄膜的压电性能随退火温度升高逐渐增大,当温度达到1
时,电致应变和局部压电常数达到最大值(s=0.38%,d∞=220pro/V),之后随温度升高有所降低;薄膜的铁电性
能也随退火温度升高逐渐增强,当温度达到l000
oC时,剩余极化Pr达到最大值(18斗C/cm2),之后随温度升高剩
余极化降低.提高退火温度可以使薄膜晶粒长大,并提高压电性能和铁电性能,但是过高的退火温度可能会生长出
异常大的棒状晶粒,从而抑制了薄膜的压电性能和铁电性能.
Effectsofanneal onthe
structure
temperature
and ofBNT—BKT-STthinfilms
piezoelectricalproperties
ZHU Wei
Yan,Li Zhen,YANG
Ru—yue,SHEN Song,YIPeng,LI
ofMaterialsScienceand
(College 252059,China)
En舀neering,LiaochengUniversity,Liaoeheng
words:BNT;leadfilms;anneal
Key free;thin temperature;piezoelectric
properties
Abstract:The are severalresearchreviews
ternary.(BiI/2Nal/2)Ti03一(Bil/2K1/2)Ti03一SrTi03(BNT—BKT—ST)materials
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