GD3561T 型InGaAs 探测器 - 英鑫光电.DOC

GD5510Y 型InGaAs 雪崩光电探测器 GD5510Y InGaAs APD *产品特点 The features — 正照平面型芯片结构Top illumination planar APD — 响应频率高、增益高High operation frequency,High Multiplication gain — 光时域反射计、激光测距、激光告警和激光雷达等应用 OTDR,Laser range finder,Laser alarming,RADAR,etc. Application *最大额定值 The absolute values 工作电压 Operating voltage 0.99 ×VBR 工作温度 Operating temperature -50～+100℃ 耗散功率 Power dissipation 50mW 正向电流 Forward current 10mA 贮存温度 storage temperature -55～+125℃ 焊接温度（时间） Soldering temperature(time) 260℃（10s） *光电性能 The opto-eletronic characteritics（@Tc=22±3℃） 特性参数 Parameters 符号 Sym. 测试条件 Test conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Unit 光谱响应范围 Response Spectrum λ — 900～1700 nm 光敏面直径 Active diameter φ — 200 μm 响应度 Reponsivity Re λ=1.55μm,φe=1μw, M=10 9.0 A/W 最大可用增益 Maximum multiplication gain Mmax λ=1.55μm,φe=1μw 20 响应时间 Response time tS f=1MHz,RL=50Ω 0.6 1.0 ns 暗电流 Dark current ID M=10 10 30 nA 总电容 Total capacitance Ctot M=10 2.5 pF 反向击穿电压 Reverse breakdown voltage VBR IR=10μA 40 V 工作电压温度系数 Operating voltage temperature coefficient δ Tc=-40～+85℃ 0.12 0.15 V/℃ *典型特性曲线及应用电路 The typical characteristical curve and application electric circuit *封装外形、尺寸及引脚定义 The package and lead 成都英鑫光电科技有限责任公司 地址：成都市高新西区天辰路88号 电话: 传真: 0281