半导体硅上激光诱导选择性电镀铜-电子科学技术.PDF

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2017-06-30 发布于天津
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半导体硅上激光诱导选择性电镀铜-电子科学技术

14 1 Vol. 14 No. 1 1997 2 CHINESE JOU RNA OF APP IED CHEMIST RY Feb. 1997 * 张国庆　姚素薇　刘　冰　郭鹤桐　　龚正烈 ( 300072) ( ) p , . , . , . 1020 min, , . - , , , p Si [ 1] . . . , [ 2] , . p , . , . , . , + p Si Ar . . 1 , , . 60 mm60 mm80 mm, . 60 mm60 mm 10 mm , . . , . p-Si( 111) , , 0.020.04 cm. , 11 HF . 0.01 mol/ CuSO4 + 0.49 mol/ Na2SO4, NaOH + pH 3. Ar , 514. 5 nm . 2 2. 1 [ 3] Si , SiO368 kJ/ mol, , , . 1 1996-02-16 , 1996-10-22 34 14 , 11 - ( p) HF p Si I . , 110- 5 A cm/ 2 ; 11 HF 60 , 810- 5 / 2, 8 . s A cm HF 1.0 V 60 s , - 0. 2 V , - 5 2 110 A/ cm . . 1p-Si 2 : 28 W cm/ 2;: - 0. 2 V; : - 0. 2 V; 1. ; 2. 1. 0 60 ; V s : 1. 18 W cm/ 2; 2. 9 W cm/ 2 3.