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大规模集成电路总剂量效应测试方法初探-物理学报
第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报
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大规模集成电路总剂量效应测试方法初探
贺朝会 耿 斌 何宝平 姚育娟 李永宏 彭宏论 林东生 周 辉 陈雨生
（西北核技术研究所，西安 信箱 分箱，西安 ）
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（ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿）
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提出了初步的大规模集成电路总剂量效应测试方法。在监测器件和电路功能参数的同时，监测器件功耗电流
的变化情况，分析数据错误与器件功耗电流变化的关系及其总剂量效应机理。给出了大规模集成电路：静态随机
存取存储器（ !
）、电擦除电编程只读存储器（ ）、闪速存储器（ ）和微处理器（ ）的 总
)*+, --.*/, 01+)2 */, 3.4 35 !
剂量效应实验的结果6
关键词：测试方法，总剂量效应，大规模集成电路
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积累到一定程度时，器件功能失效 因此，这种现象
6
称为电离总剂量效应 图 所示为典型的 晶
#9 引 言 6 # ?,/)
体管（）和 晶体管（）的电流 电压（ ）特性
; @,/) A B !B
随着半导体器件集成度的不断提高，大规模集 曲线随辐射电离总剂量的增加而逐渐漂移的过程6
成电路越来越多地应用在航天器上6 空间辐射环境 图中未画出界面陷阱电荷的影响，界面陷阱电荷会
中的带电粒子和电子在集成电路中产生的电离总剂 使曲线的斜率减小 图中横坐标为栅极电压（ ），
6 =
量效应，严重影响航天器的可靠性及在轨寿命6
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