Vishay 新型功率MOSFET 采用反向导引TO-252 DPAK 封装 - 电源网.PDF

Vishay 新型功率 MOSFET 采用反向导引 TO-252 DPAK 封装 Vishay Intertechnology 控股的 Siliconix 公司日前宣布推出采用反向导引 TO-252 DPAK 封装的新型 TrenchFET 功率 MOSFET 系 列产品。凭借反向成型的接脚，采取「SUR 」封装 的TrenchFET 能使该产品反向黏着于 PCB 上，即将 散热器黏着于顶部以产生更好的散热效果。 由于功率应用产生的热量能散发到空气中而非 PCB 上，与采用传统接脚的 DPAK 功率 MOSFET 相 较，此类功率 MOSFET 具有更小的有效接通电阻值 以及更大的电流作业能力。同时，更好的散热效果 能消除电路板的热应力，因而提高该产品的整体可 靠性。 此款 SUR 功率 MOSFET 适用于桌上型计算机的核心直流变直流转换应用，使 VRM 模块与 PC 主机板实现「超绿色」的设 计。应用该 SUR 功率 MOSFET 后，VRM 模块与 PC 主机板可更有效地利用功率，而进一步减少所需的组件。 SUR 功率 MOSFET 系列产品，包括 20VSUR70N02-04P 、30VSUR50N03-06P、SUR50N03-09P、SUR50N03-12P 以及SUR50N03-16P 的接通电阻值范围为4mΩ 至 16mΩ，适用于直流变直流转换器的同步及控制FET 。 Siliconix 可提供 SUR 系列反向导引 TrenchFET 功率 MOSFET 样品及量产。 Intersil 两款超小型抗热封装 100V 半桥驱动器 IC 开始供货 Intersil 公司宣布采用新型超小抗热封装的 HIP2100 和 HIP2101 高压半桥 MOSFET 驱动器 IC 现已开始供货。新的 8 接脚裸露 片盘(EP 或 E-pad)SOIC 封装增强了散热效率，而 4 X 4 mm 双扁平无铅(DFN)封装则使其成为超小型的 100V 半桥 MOSFET 驱动器。 该产品适用于电讯和数据通讯电源、航空 DC/DC 转换器、双开关正向转换器和主动箝位正向转换器。采用 4 × 4mm DFN 封 装的产品现已开始向客户提供样品，将于近期内全面投产。该超小 100V 半桥 MOSFET 驱动器允许设计人员按照 IPC-2221 设计标准来设计印刷电路板的布线。为确保系统的长期可靠性，产品使用指南要求高压节点间的间距达到 0.6mm 。 堆栈式储存模块封装技术的发展趋势 无线产业技术正以令人兴奋的速度向前发展，市场对成本降低的无止境要求，驱动行动电话制造商不断致力于减少电话的 体积和重量，而与此同时，行动电话却需要配备大屏幕彩色显示屏幕、照相机、视讯流、MP3 和多种下载铃声等等功能， 新功能的出现直接导致额外内存的大量增加，本文将展示在相同的封装内堆栈更多的硅组件的崭新封装技术及其发展趋势。 电视及视讯点播的新的应用推动了超小型及多功能行动电话的普及，具有彩色屏幕和照相机功能的手机热销于全球各地市 场，因此出现了对堆栈式内存解决方案的需要，无线储存模块在全球的应用日益普及，这一点在亚太地区尤其如此。每个 行动电话制造商要求采用不同的芯片组合，当生产量低的时候还不是问题，但是随着中国大陆、台湾地区、韩国和亚太地 区行动电话制造商的迅速增加，对堆栈式封装技术的采用，用户定制堆栈式产品的模式使供应链面临更大的