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SOI 技术及其必威体育精装版进展

16 3 V ol. 16 No. 3 1999 9 Journal of Guangdong University of Technology September 1999 SOI 1 2 罗南林 , 吴福根 ( 1. , 510507; 2. , 510090) : ) ) ) SOI , SOI . : SOI; ; : T N43 : A : 1007- 7162( 1999) 03- 0089- 06 , . , , , , SOI [ 1~ 4] ( Silicon on In ulator) . , [ 5~ 10] . SOI , SOI 3 . , , , , . , , N+ O+ , , , , . , , . , , . SOI , 3 , [ 11~ 13] . , , . + + [ 14] 1 N O + + N O , Si N SiO , , / 0 . 3 4 2 SIM OX( Separation By Implanted Oxyg en) , ( ) : O+ , 50~ 300keV, 18 - 2 + 1 @ 10 cm , . O 0. 5Lm , 0. 1~ 0. 5Lm , 1100 e 2h, SOI , , SiO , SOI , 2 : 1998- 10- 29 : ( 1966- ) , , : : . 90 16 , , , , . [ 15, 16] ) ) ) ( Pla ma Immer ion Ion Im plantation) PIII, PIII SIM OX SPIMOX, 1 . : , ( ECR) . , 1 SPIM OX ( 20~ 70kV) , , , 1300 e 2~ 6h, SOI . SPIMOX SIMOX , ( ) , , , , . 2 ( Wafer- Direct- Bonding) J. B. La ky[ 17] 1986 , : , , SOI . : OH- : Si- OH + HO- Siy H2O+ Si- O- Si. [ 18] , SOI , ( SOG) , ( ) , ( 5Lm ) , , . SOG Si( OH) V ( 2 V 4) , : 1) SOG , . 2) SOG SOG , , SOG OH , : Si- OH + HO- Siy H O+ Si- O- Si. 2

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