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ICS点击此处添加ICS号 点击此处添加中国标准文献分类号 中华人民共和国国家标准 GB/T XXXXX—XXXX 光伏组件接线盒用二极管技术要求 Technical requirements of diode for junction box of photovoltaic modules 点击此处添加与国际标准一致性程度的标识 XXXX - XX - XX发布 XXXX - XX - XX实施 目次 前言 II 1　范围 1 2　规范性引用文件 1 3　术语和定义 1 4　型号命名方法 3 5　技术要求 4 6　试验方法 7 7　检验规则 12 8　标志和包装 13 9　贮存和运输 14 前言 本标准按照GB/T 1.1-2009给出的规则起草。 本由本由归口本主要起草单位： 本起草单位： 本主要起草：光伏组件接线盒用二极管技术要求 范围 本标准规定了太阳能光伏旁路二极管的技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、贮存和运输。 本标准适用于太阳能光伏旁路二极管（以下简称旁路二极管）。 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其必威体育精装版版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 4023-1997 半导体器件 第2部 分整流二极管 GB/T 7581-1987 半导体分立器件外形尺寸GB/T 9535-2006地面用晶体硅光伏组件—设计鉴定和定型 GB/T5169.5-2008 电工电子产品着火危险试验第5部分：试验火焰针焰试验方法装置、确认试验方法和导则 GB/T 17626.2-2006电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验 GB/T 2423.22-2012 环境试验第2部分：试验方法试验N：温度变化 术语和定义 半导体二极管 具有不对称电压—电流特性的两端半导体器件。 正向 连续（直流）电流沿二极管低阻流通的方向。 反向 连续（直流）电流沿二极管高阻流动的方向。 热击穿 由于耗散功率和结温的相互促增作用，使少数载流子累积增加引起的反向击穿。 击穿（PN结反向偏置时） 由高动态电阻状态转变到刚好是低动态电阻状态，所观察到反向电流开始剧烈增加时的现象。 雪崩击穿（半导体PN结的） 半导体中的一些载流子在强电场的作用下，获得足够的能量，碰撞电离产生新的电子空穴对，这种使载流子累积倍增引起的击穿。 结温 Tj 基于半导体器件的热电校准关系，通过电测量得到的温度。 注：结温是通过热阻，瞬态热阻抗，在各种应用中计算电流允许值的基准温度。 热阻 Rth 在热平衡条件下，两规定点（或区域）之间温度差与产生这两点温度差的耗散功率之比。结壳热阻为半导体器件结温和管壳规定点的温度差与器件耗散功率之比，散热器热阻为散热器上规定点温度和环境规定点温度的差与产生这两点温差的耗散功率之比。 贮存温度 TSTG 半导体器件在没有任何电压施加情况下的存放温。 额定结温 半导体器件正常工作时所允许的最高结温，在此温度下，一切有关的额定值和特性都得到保证。 正向电压 VF 由于正向电流流通在两端子间降落的电压。 反向电压 VR 沿二极管高阻方向施加的电压。 击穿电压 VBR 通过结的反向电流大于规定值时的反向电压。 正向电流 IF 沿二极管低阻方向流通的电流。 正向浪涌电流 IFSM 一种由于电路异常情况（如故障）引起的，并使结温超过额定结温的不重复性最大正向过载电流。 反向电流 IR 当二极管施加规定的反向电压时，流过它的全部传导电流。 伏安特性 包括正向和反向的电压—电流特性，通常用曲线表示。 静电放电（ESD） 在不同静电势的两个物体之间静电电荷的转移。 部件工作环境温度 距离器件5cm的境温度，二极管产品此温度条件下，应连续（不间断）工作。 型号命名方法 轴向封装 贴片封装和扁平封装 高压光伏二极管 技术要求 使用环境 使用环境应符合表1要求。 使用环境条件 序号 条件 温度 1 使用环境温度 -40℃～+85℃ 2 年平均湿度 50~75％RH 3 在其他天偶然出现的湿度 85％RH 4 大气压力 63.0kPa～106.0kPa（海拔4000m及以下） 外观和尺寸 外观 旁路二极管的外观应同时满足以下条件： 1）旁路二极管的塑封体表面光整无气泡、无机械损伤； 2）旁路二极管的引线平直、光整、镀层光亮无锈蚀； 3）旁路二极管的标识应清晰、不易脱落。 外形尺寸 具体外形尺寸依据客户要求及GB/T 7581。 额定值 额定值 最大额定值（极限值）应符合表3的规定。 最大额定值（极限值） 正向平均电流 正向浪涌电流 I2t 反向重复峰值电压 工作结温 贮存温度 IF(AV) IFSM I2t VRRM Tj