103学年度电机与电子群专业科目(一)(二)统一入学测验.DOC

統一入學測驗 電機類、資電類專業科目(一、二) （本試題答案係統一入學測驗中心公布之標準答案） 資電類　專業科目（一）：電子學（第1至25題） ＿＿＿ 1.v(t)＝4＋6 sin377tV，v(t)之最大值為何？　(A)11.66V　(B)10.66V　(C)6.66V　(D)5.66V。 概論 ＿＿＿ 2.LED）元件之敘述，何者正確？　(A)在逆向偏壓下才能發光　(B)順向電流大小決定發光顏色　(C)順向偏壓下電子和電洞復合時釋出能量發光　(D)發光強度與順向電流成反比。 二極體 ＿＿＿ 3.(A)稽納崩潰時其稽納電壓為負溫度係數　(B)累增崩潰時其稽納電壓為負溫度係數　(C)累增崩潰是由於電場效應增強所引發　(D)稽納崩潰是由於熱效應增強所引發。 二極體 ＿＿＿ 4.D1及D2均為理想二極體，vi(t)＝200sin377t V，變壓器匝數比N1：N2：N3＝10：1：1，則電流io之有效值為何？ (A)2A　　　　　(B)2A (C)4A　　　　　(D)4A。　　　　　　　　　　二極體 ＿＿＿ 5.(A)箝位電路　(B)倍壓電路　(C)截波電路　(D)整流電路。 二極體之應用電路 ＿＿＿ 6.s為輸出對輸入轉換曲線中斜線部分之斜率，則此電路之轉換曲線為何？ 二極體之應用電路 (A)　　　　　　　　　(B)　　　　　　　　 (C)　　　　　　　　　(D)　　　　　　　　 ＿＿＿ 7.BJT基極之敘述，何者正確？　(A)發射載子以提供傳導之電流　(B)收集射極發出的大部分載子　(C)控制射極載子流向集極的數量　(D)基極摻雜濃度最高。 雙極性接面電晶體 1.(A)　2.(C)　3.(A)　4.(C)　5.(A)　6.(A)　7.(C) ＿＿＿ 8.1？　(A)共集極放大電路　(B)共基極放大電路　(C)共射極放大電路　(D)共源極放大電路。 電晶體直流偏壓電路 ＿＿＿ 9.BJT含射極回授電阻的分壓偏壓電路（無射極旁路電容）放大器之敘述，何者正確？　(A)直流工作點位置幾乎和值無關　(B)加入射極回授電阻可使得電壓增益提升　(C)加入射極回授電阻可使得輸入阻抗降低　(D)電路為正回授設計。 電晶體放大電路 ＿＿＿ 10.BJT之＝100VBE＝0.7VVCE約為何？ (A)4.4V (B)5.5V (C)6.9V (D)8.7V。　　　　　　　　　　　　　　　 電晶體放大電路 ＿＿＿ 11.BJT工作在主動區且基極直流偏壓電流為12.5A，＝80，熱電壓（thermal voltage）VT＝25mV，則其轉移電導為何？ (A)2mA／V　(B)6mA／V　(C)20mA／V　(D)40mA／V。 電晶體放大電路 ＿＿＿ 12.BJT之＝100thermal voltage）VT＝26mV，切入電壓VBE＝0.7V，則輸入阻抗Zi約為何？ (A)0.9k (B)1.7k (C)3.2k (D)8.3k。　　　　　　　　　　　　　電晶體放大電路 ＿＿＿ 13.BJT共射極（CE）（CC）（CB）(A)輸入阻抗：CB＞CE＞CC(B)輸出阻抗：CE＞CC＞CB(C)電壓增益：CB＞CE＞CC(D)輸出與輸入信號之相位關係：CC和CB為反相，CE為同相。 電晶體直流偏壓電路 ＿＿＿ 14.(A)電路穩定度極高　(B)各級間之直流偏壓工作點不會相互干擾　(C)各級間阻抗匹配容易　(D)低頻響應佳。 串級放大電路 ＿＿＿ 15.1之串級放大電路，若級數越多則　(A)增益越大且頻寬越大　(B)增益越大且頻寬越小　(C)增益越小且頻寬越大　(D)增益越小且頻寬越小。 串級放大電路 8.(B)　9.(A)　10.(D)　11.(D)　12.(B)　13.(C)　14.(D)　15.(B) ＿＿＿ 16.N通道空乏型MOSFET之截止電壓VGS（off）＝4V；若此MOSFET工作於夾止區，閘極對源極電壓VGS為0V時汲極電流為12 mA，則當閘極對源極電壓為－2V時汲極電流為何？　(A)8mA　(B)6mA　(C)5mA　(D)3mA。 場效電晶體放大電路 ＿＿＿ 17.(A)雙極性電晶體　(B)發光二極體　(C)稽納二極體　(D)場效電晶體。 場效電晶體 ＿＿＿ 18.JFET的轉移電導＝4 mAV，不考慮汲極輸出電阻，則輸出阻抗Zo為何？ (A)100 (B)200 (C)250 (D)1000。　　　　　　　　　　　　場效電晶體放大電路 ＿＿＿ 19.MOSFET之臨界電壓（threshold voltage）Vt＝1VK＝0.4 mAV2，不考慮汲極輸出電阻，則Vo/Vi約為何？ (A)－12.5(B)－9.9(C)－8.3(D)－6.4 ＿＿＿ 20.(A)共模拒斥