荧光定量的原理及过程介绍.ppt

1 1 定量分析的基本问题 基体效应 基体效应的定义 基体效应的分类 吸收-增强效应 吸收-增强效应 Al-Si体系中的基体影响 Al-Si体系中的基体影响 光谱重叠校正 光谱重叠校正系数的计算方法 光谱峰位背景的校正 光谱峰位背景的校正 非线性区峰底背景计算 非线性区峰底背景计算 定量分析的基本方法 实验校正法 实验校正法 实验校正法 实验校正法 数学校正法 数学校正法 经验校正数学模型 数学校正法 理论 Alpha系数法数学模型 基本参数法 基本参数法迭代运算步骤 取样和制样要求 样品制备 样品的表面状态 荧光的临界厚度 (mm) 固体样品的制备 固体试样法－表面粗糙度影响 表面光洁度对强度的影响 粉末样品的制备 颗粒度和压力对光谱强度的影响 粉末样品中的矿物效应 粘结剂对分析线强度的影响 粉末压片 熔融法 试样/熔剂比 熔剂类型 熔融温度 熔融设备 氧化剂 添加剂 坩埚和碟材质 冷却对结晶的影响 试样/熔剂的稀释比： 1 ：4 - 1 ：20 之间； 较高的稀释 : 降低灵敏度，增加背景计数率 ； 较低的稀释 : 试样不能完全熔融 熔融速率低； 容易结晶 熔融片与碟间的粘连 (Cr 矿和Cu矿) Na2B4O7 Li2B4O7 LiBO2 NaBO2 LiF Na2CO3 NaF Li2CO3 熔融温度: Na2B4O7: 1000-1050 0C Li2B4O7: 1100-1150 0C Li2B4O7 Tmp= 930 0C LiBO2 Tmp= 845 0C Na2B4O7 Tmp= 741 0C ◇ 高频感应炉---- 升温速度快，一次只能熔融一个样品 ◇ 电阻炉 ----- 升温速度慢，可同时熔融多个样品 ◇ 燃气炉 ----- 温度分布不均匀，可同时熔融多个样品 氧化剂 为了氧化硫化物样品和其它样品，可加入下列氧化剂，可根据氧化作用所需要的氧量计算氧化剂的加入量： NaNO3,LiNO3,NH4NO3,KNO3,Sr(NO3)2 KClO3 BaO2 CeO2 添加剂: 提高熔融和浇铸效率 LiF,Li2CO3, NaiF,Na2CO3 非侵润: Li，Na，NH4的碘化物, 溴化物 重吸收剂: La2O3, BaO,BaSO4,K2S2O7 内标: BaO2,CeO2 两点法扣背景 峰底背景利用通过4个背景点的多项式进行计算：式中: BgC表示常数项；BgL表示 一次项；BgQ表示二次项； BgT 表示三次项。X表示背景与主峰的2?角之差; R(background)表示峰位的背景强度 式中：X1, X2, X3, X4 分别表示 Bg1 , Bg2, Bg3 和 Bg4的2?角; L1(X), L2(X), L3(X) ,L4(X)表示校正系数 定量分析方法根据基体影响处理不同可分为实验校正和数学校正两类。 1. 实验校正法: 外标法，内标法，散射线内标法，潜在内标法和增量法。 2. 数学校正法: 经验系数法，理论系数法和基本参数法 1. 外标法(校正曲线法) ：这是应用最广泛的一种方法。用跟测定样品组成类似的多个标样，据其含量和测得的X射线荧光强度的关系预先作好校正曲线(下图)，测定未知样品的X射线荧光强度，再使用校正曲线来确定含量的分析方法叫做校正曲线法。 常用的外标法有：直接校准法、稀释法、增量法和薄试样法等方法。 2.内标法: 取分析元素与混入样品中已知量的内标元素的X射线强度之比绘制校准曲线，计算样品的浓度。这种方法的优点：能有效地补偿基体的吸收－增强效应和样品状态变化的影响。 3. 散射内标法： 选择一条靶的散射线或某波长处连续散射线作为内标来校 正吸收效应和样品密度的变化。 包括靶线内标法和本底内标法。 散射线内标法对轻基体中少量或微量元素的测定是广为使 用的方便而实用的方法。 内标的选择原则： 1. 内标元素与分析元素分析线波长和吸收限尽量接近， 但彼此没有任何干扰。 2. 应选择那些在分析样品和标样中都不存在或即使存在也含 量甚微的元素作为内标元素。 3. 确定内标元素的添加量，要使内标元素的X射线强度与