磁偏转小型质谱仪钼带电流功率 与K +信号强度关系的研究.PDF

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磁偏转小型质谱仪钼带电流功率与K信号强度关系的研究

磁偏转小型质谱仪钼带电流功率  + 与 K 信号强度关系的研究                                          肖夏   (复旦大学 物理系 200433 )    摘要 :  通过不断改变钼带上电流值,并同时用万用表测量法兰盘上接钼带的两个铜柱外脚间的 电势差,借以计算钼带上电流的功率,并观察收集器收集到的 K+强度,解释实验结果与理 论公式间的符合程度。    关键词 :  钼带电流功率  钼带温度  样品电离   K+强度    引言:  元素的核质比是表征该元素基本性质的重要指标,利用带电粒子在磁场中的运动规律, 将元素原子按核质比分离,而磁偏转小型质谱仪是最简单的实现该目的的仪器,验证钼带所 加功率与信号强度的关系   应该符合实验材料上提供的金属样品电离效率 :η=r*exp[(ϕ-E)/kT],r 为比例系数,ϕ 是钼带的表面功函数,E 为被分解样品的电离能,T 为绝对温度,即随着钼带温度的升高, KCl 样品的电离应按照此公式所给出的规律电离,收集器接收到的 K+也要照此分布,此篇 论文的目的便是要验证金属电离效率公式,并研究在小型质谱仪实验中,表达式受何种因素 影响。   理论与实验部分: 实验所要验证的公式是钼带上温度与 KCl 样品电离效率的关系,但是由于实验室中没有 可以直接测得温度的仪器,故采用了通过测量钼带上电流的功率,近似的认为电流功率与钼 带温度呈线性关系,所以这样便可以得到电流功率与电离效率的关系,进而近似研究温度与 电离的函数关系。当样品 KCl 电离后,电离出的 K 和 Cl 的原子,均会与灼热的钼带碰撞。 ‐ ‐ ‐  ‐ + ‐ + 当钼带温度足够高时,将会发生 e +K=K +2e 的过程,得到 K ,Cl ,K ,e ,K 被加速电压加 B R + 速至偏转磁场中,当加速电压满足 时,K 恰好通过收集极狭缝,被探测器探测。用 特斯拉计测得偏转磁场磁感应强度为 210mT ,计算得到的V=114V ,得到的电流信号经微电 流放大器放大后,输出到 X‐Y 记录仪的 Y 端,加速电压 V‘输出到 X‐Y 记录仪的 X 端。  用万用表 2V 档测量铜柱外脚间的电压 U ,由小质谱仪钼带加热电源读出流经钼带的电 流值 I,电流功率 P=I*U,可以得到钼带上电流的功率与计数率关系,但要得到温度与计数 率的关系,还需要知道功率与温度的关系,限制于实验时间,与实验器材,但可以假设,两 者呈线性变化。  实验选取的钼带长度为 9.80mm,取钼带宽度的 钼带宽度 平均值为 0.99mm。 01 1.01mm 查找资料得到 K 的电离能 E=4.34eV,钼的表面 02 0.97mm 功函数 ϕ=4.52eV,得到 η=r*exp(2087/T) 03 0.98mm 04 1.03mm 05 0.96mm 理论上的图像应为

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