模拟电子线路习题解答-1半导体器件.pdf

第一章 半导体器件 1.1 选择填空 （只填a,b,c,…,以下类同） (1) N 型半导体中多数载流子是 b ，P 型半导体中多数载流子是 a 。（a. 空穴，b.电子） (2) N 型半导体 c ，P 型半导体 c 。（a.带正电，b.带负电，c.呈中性） (3) PN 结中扩散电流的方向是 a ，漂移电流的方向是 b 。（a.从 P 区 到 N 区，b. 从 N 区到 P 区） 2 3/2 U / UT (4) 二极管的伏安特性是I= c 。（a.KU ，b. KU ，c. K (e −1) ） (5) 当 PN 结外加反向电压时，扩散电流 b1 漂移电流；（a1.大于，b1.小于， c1.等于）此时耗尽层 a2 。（a2.变宽，b2.变窄，c2.不变） (6) 变容二极管 c1 ；（a1.是二极管，b1. 不是二极管，c1. 是特殊二极管） 它工作在 b2 状态。（a2.正偏，b2.反偏，c2.击穿） (7) 晶体管工作在放大区时，b-e 间为 a ，b-c 间为 b ，工作在饱和区 时 b-e 间为 a ，b-c 间为 a 。（a.正向偏置，b.反向偏置，c.零偏置） (8) 工作在放大区的某晶体管，当 I 从 20µA增大到 40µA 时，I 从 1mA 变成 2mA。 B C 它们的 β约为 b 。（a.10，b.50，c.100） (9) 场效应管主要是通过改变 b1 （a1.栅极电压，b1. 栅源电压，c1. 漏源 电压）来改变漏极电流的，所以是一个 b2 （a2.电流，b2.电压）控制的 a3 （a3.电流源，b3. 电压源）。 (10) 用于放大时，场效应管工作在特性曲线的 b 。（a. 击穿区，b.恒流区， c.可变电阻区） 1.2 假设一个二极管在 50℃时的反向电流为 10µA，试问它在 20℃和 80℃时的反 向电流大约为多大？已知温度每升高 10℃，反向电流大致增加一倍。 解：据已知可得 20−50 I (20 o C) = I (50 o C) × 2 10 = 10× 2−3 =1.25 (µA) S S 80−50 I (80 o C) = I (50 o C) × 2 10 = 10× 23 = 80(µA) S S 第 1 页 1.3 某二极管的伏安特性曲线如图(a)所示: （1）如在二极管两端通过1KΩ的电阻上加 1.5V 的电压,如图(b)所示,此时二极 管的电流 I 和电压 U 各为多少? （2）将图(b)中的1.5V 电压改为 3V,则二极管的电流 I 和电压 U 各为多少? 解：解：（1）图(b)示二极管的外特性方程为: 解解：： U=E-IR=1.5-I。 通过作图,可得 Q (I,U)=Q (0.8mA,0.7V) 1 1 （2）图(b)示二极管的外特性方程变为: U=E-IR=3-I。 通过作图,可得 Q (I,U)=Q (2.1mA,0.85V) 1 1 1.4 假设用万用表的R×10档测得某二极管的正向电阻为200Ω，若改用R×100 档测量同一个二极管，则测得的结果将比 200Ω大还是小，还是正好相等？为什 么？ 答：用答 R×100 档测量二极管的正向电阻比用 R×10 档测的电阻大。 答答 设万用表 R×10 档的内阻为 R ，R×100 档的内阻为 R ，则R R ；测量时二极 1